Erica · 2月28日

高效节能的智能无功补偿器解决方案 ——基于航顺HK32F103A助力电力系统智能化升级

一、市场规模与增长
全球电力需求持续增长,电能质量治理成为核心议题。据预测,2028年全球无功补偿装置市场规模将达299亿美元,年复合增长率约4.5%。中国作为全球最大的电力消费国,智能无功补偿市场增速显著,尤其在工业自动化、新能源发电(如风电、光伏)及市政电网改造领域需求激增。2024年中国智能无功补偿器市场规模预计突破百亿元,政策支持与技术创新推动行业加速发展。

二、市场应用
智能无功补偿器广泛应用于以下场景:

工业领域:钢铁厂、化工厂等感性负载密集场景,通过动态补偿降低线损,提升功率因数至0.95以上。
新能源发电:风电并网系统中,补偿无功波动,增强电网稳定性。
电力输配电网:长距离输电场景中减少无功损耗,优化电能传输效率。
市政与公共设施:大型商业综合体、医院等场所,保障电压稳定,提升供电质量。
交通与船舶电力:电气化铁路、船舶电力系统动态调节无功功率,保障设备稳定运行。

三、航顺HK32F103A的无功补偿方案原理:

无功功率的产生与补偿:在电力系统中,许多设备如变压器、电动机等会产生无功功率。这些设备在工作时需要建立磁场,消耗无功功率。无功补偿装置通过提供或吸收无功功率,抵消这些设备产生的无功功率,减少无功功率在电网中的流动。
功率因数的提高:通过无功补偿,可以提高电力系统的功率因数。功率因数是有功功率与视在功率的比值,功率因数越高,表示电力系统中的有功功率占比越大,电能利用效率越高。
电压的稳定:无功补偿装置可以调节电网中的无功功率分布,从而稳定电压水平。在电力系统中,无功功率的流动会导致电压的波动,通过无功补偿可以减少电压波动,提高供电质量。
智能控制:航顺HK32F103A作为一款高性能的MCU,具备强大的数据处理能力和精确的时钟系统,可以实现对无功补偿装置的高精度控制。通过对电网参数的实时监测和精确计算,系统可以根据实际需求自动调节无功功率的补偿量,确保电网的稳定运行。

四、方案核心优势
高性能处理能力:HK32F103A主频120MHz,内置12位ADC,满足高精度实时数据处理需求,确保补偿响应速度领先行业。
智能算法优化:基于自适应PID控制与谐波抑制算法,动态调整补偿容量,适应复杂负载变化。
高可靠性设计:过压、过流、温度多重保护机制。
成本优势:国产芯片替代方案降低BOM成本,支持模块化扩展,适配不同功率等级需求。
绿色节能:综合能效提升,助力用户减少电费支出及碳排放。

产品系统框图
系统.png

智能无功补偿器实物图
智能无功补偿器实物图.png

航顺HK32F103A系列MCU主要规格

  • ARM® Cortex®-M3 内核
    最高时钟频率:120 MHz
    24 位 System Tick 定时器
    支持 CPU Event 信号输入至 MCU 引脚,实现与板级其它 Soc CPU 的联动。
  • 工作电压范围
    双电源域:
    -主电源 VDD 为 2.0 V ~ 3.6 V
    -备份电源 VBAT为 1.8 V ~ 3.6 V
    当主电源掉电时,RTC 可继续工作在 VBAT 电源下。
    VBAT 电源域提供 84 byte 备份寄存器。
  • 工作温度范围:-40°C ~ +105°C
  • VDD 典型工作电流
    运行(Run)模式:19.3 mA@120MHz@3.3V
    睡眠(Sleep)模式:5.6mA@120MHz@3.3V(唤醒时间:1 个机器时钟周期)
    停机(Stop)模式

    • LDO 低功耗模式:89.4 μA@3.3V(唤醒时间:10µs)
    • LDO 全速工作模式:303 μA@3.3V
      待机(Standby)模式:3.3 μA@3.3V(唤醒时间:150µs)
  • VBAT 典型工作电流(VDD掉电)
    VBAT RTC 开启模式:2.6 μA@3.3V
    VBAT RTC 关闭模式:2.1 μA@3.3V
  • 存储器
    最高 512 Kbyte 的 Flash 存储器

    • 当 CPU 主频不高于 24 MHz 时,支持 0 等待总线周期。
    • 具有代码安全保护功能,可分别设置读保护和写保护。
      64Kbyte 片内 SRAM
      FSMC 模块可外挂 1 Gbyte NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器(其中,256 Mbyte 的空间可以存放指令,可用于片内 Cache 缓存)
  • 数据安全
    CRC32 校验硬件单元
  • 时钟
    外部高速时钟(HSE):支持 4 ~ 32 MHz,典型 8 MHz
    外部低速时钟(LSE):32.768 kHz
    片内高速时钟(HSI):8 MHz/28 MHz/56 MHz 可配置
    片内低速时钟(LSI):40 kH
    PLL 输出时钟:120MHz(最大值)
    GPIO 外部输入时钟:1 ~ 64 MHz
  • 复位
    外部管脚复位
    电源复位(POR/PDR)
    软件复位
    看门狗(IWDG 和 WWDG)复位
    低功耗管理复位
  • 可编程电压检测器(PVD)
    8 级检测电压门限可调
    上升沿和下降沿检测可配置
  • 通用输入输出端口(GPIO)
    64 脚封装提供 51 个 GPIO 引脚,100 脚封装提供 80 个 GPIO 引脚
    所有 GPIO 引脚可配置为外部中断输入
    内置可开关的上、下拉电阻
    支持开漏(Open-Drain)输出
    支持施密特(Schmitt)迟滞输入
    输出驱动能力超高、高、中、低四档可选
  • 数据通讯接口
    5 路 USART/UART(USART1/2/3,UART4/5)
    3 路 SPI(SPI2/3 支持 I2S 协议)
    2 路 I2C
    1 路 SDIO
    1 路 CAN 2.0 A/2.0B
    1 路全速 USB2.0
  • 定时器及 PWM 发生器
    高级定时器:TIM1/TIM8(带死区互补 PWM 输出)
    通用定时器:TIM2/TIM3/TIM4/TIM5
    基本定时器:TIM6/TIM7(支持 CPU 中断、DMA 请求和 DAC 转换触发)
  • 片内模拟电路
    3 个 12 位 1 MSPS ADC(支持最多 16 路外部模拟输入通道同时使用;其中 2 路弱驱动信号输入通道和 1 路 5 V 高压信号输入通道);支持双 ADC 模式,采样率最高 2 MSPS。
    2 个 12 位 DAC
    1 个温度传感器
    1 个 0.8 V 内部参考电压源
    1 个 VBAT 电源电阻分压器(分压器输出在片内与 ADC 相连,实现 VBAT电源电压监控)
  • DMA 控制器
    2 个独立 DMA:DMA1 和 DMA2
    DMA1 提供 7 路通道
    DMA2 提供 5 路通道
    支持 Timer、ADC、SPI、I2C、USART、UART 等多种外设触发
  • CPU 调试及跟踪接口
    SW-DP 两线调试端口
    JTAG 五线调试端口
    ARM DWT、FPB、ITM、TPIU 调试追踪模块
    单线异步跟踪数据输出接口(TRACESWO)
    四线同步跟踪数据输出接口(TRACEDO[3:0]、TRACECKO)
    自定义 DBGMCU 调试控制器(低功耗模式仿真控制、调试外设时钟控制、调试及跟踪接口分配)
  • RTC 时钟计数器,配合软件记录年月日时分秒
  • ID 标识
    每颗芯片提供一个唯一的 96 位 ID 标识
  • 可靠性
    通过 HBM2000V/CDM500V/MM200V/LU200mA 等级测试
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