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专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案

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    Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

    自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品,该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体,它包含了对完整系统支持所需的独特功能。本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

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    Everspin串口串行mram演示软件分析

    Everspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm,28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。生产基于180nm,130nm和90nm工艺技术节...

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    everspin非易失性存储器MR4A16B

    Everspin科技公司表示:“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”

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    到2029年MRAM收入将增长170倍

    一份新市场报告预计,从2018年到2029年,独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍,达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术(例如NOR闪存和SRAM)推动。

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    STT-MRAM存在的两个弊端

    随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来,一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流,增加热稳定性;另一方面Sony、Hitachi、Renesas、Crocus、Toshiba、Samsung、Hynix、IBM等多家公司也在积极研发STT-MRAM。

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    MRAM技术进入汽车应用

    在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。

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    企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

    随着企业固态驱动器(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进,SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同时,还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。

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    各大原厂看好MRAM发展

    MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本。在寿命方面,由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性也远超传统RAM。大规模普及仍面临挑战

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    正在疯涨的ble蓝牙芯片市场

    蓝牙和WiFi已经占据所有主设备这端的标准,蓝牙生态的体量比其他的同类协议大了好几个数量级。而且各厂商之间的互联互通、兼容性各方面都比较成熟。

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    stm32f103vct6外扩sram芯片

    STM32F103是一款高性价比、多功能的单片机,配备常用的32位单片机片外资源,基于ARM Cortex-M3的32位处理器芯片,片内具有256KB FLASH,48KB RAM ( 片上集成12Bit A/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)。是应用的较为广泛的一款单片机,

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    everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

    Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地...

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    智能家居为MCU带来巨大需求量

    新一代年轻消费族群对于生活品质的需求逐渐提高,不仅小米要发展智能家居,中兴通讯也在于近日在北京揭晓智"智能家居"将成为市场主流,而智能家居的崛起也必然引爆MCU的需求量迅速攀升,众多MCU厂商可望迎来庞大商机。

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    案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

    everspin MRAM是为LSI Corporation(现在的Avago Technologies)RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器,该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。Everspin MRAM在其RAID磁盘阵列中执行写日志或数据日志功能。

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    基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

    自旋转矩磁阻随机存取存储器(ST-MRAM)有望成为一种快速,高密度的非易失性存储器,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此,everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64Mb DDR3 STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织,可支持1.6Giga Transfers/s(DDR3-1600)。...

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    灵动微ARM Cortex-M内核测试向量生成

    灵动微电子基于Arm Cortex-M系列内核开发的MM32 MCU产品拥有F/L/SPIN/W/P五大系列,200多个型号规格,累计交付近亿颗MCU,在本土通用32位MCU公司中位居前列。灵动微是本土仅有的同时获得了ARM-KEIL、IAR、SEGGER国际权威组织官方支持的本土MCU公司,是为数不多的建立了独立且完善的生态体系的通用MCU公司,给客户提供从...

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    ​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

    ​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况,时间和温度而泄漏和击穿的相反,MRAM(磁性随机存取存储器)使用1个晶体管–1个磁性隧道结(MTJ)体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态,因此与现有的非易失性存储器相比,它具有许多重要的优势。与其他...

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    everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

    随着技术的进步,批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力,促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升,静止式电表也逐步取代了传统的机电式电表。智能电表是基于现代通信技术、计算机技术、测量技术,对电能信息数据开展采集、分析、管理的先进计量装置。

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    汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

    汽车动力总成模块使用闪存技术在断电(保持活动内存(KAM)和非易失性内存(NVM))期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期,因为它们的写入周期数量有限。

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    航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

    TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4Mbit MRAM(磁性随机存取存储器)芯片由Everspin Technologies...

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    精密MRAM芯片制造系统

    MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄500000倍,相近于一颗原子的大小,如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性、介面品质等参数是关键所在。因为在原子层级,任何极小的缺陷都会影响装置效能,所以这些新型存储器要想实现...

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2019年12月19日 加入
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