MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存...
Everspin宣布了其MRAM解决方案的几个新的应用程序和客户。首先是nvNITRO存储加速器产品系列。这些新卡（适用于要求苛刻的应用，例如金融交易）有1Gb或2Gb两种，并基于Everspin的256Mb DDR STT-MRAM芯片。Everspin发布的1Gb DDR4芯片的型号，该芯片的最大容量将达到了16Gb。
eMRAM属于新型存储技术，同目前占据市场主流的NAND闪存相比较，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产，将会加快新型存储技术的应用进程，未来发展前景将被看好。
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.
IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术，它增加了其他接口选项，例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系统级封装（SiP）选项比内部SRAM更大的内存。
我们来看一下MCU设计中的情况，其中IoT RAM明显比外部DRAM具有优势。在下面的通用MCU图中，工作/静态存储器部分越来越需要扩展。在整个工作空间中使用DRAM会增加系统的功耗，并需要集成刷新控制器。
迅速发展的IoT继续为消费者和行业带来革命性的变化，并增强了他们的日常使用体验，尤其是在边缘增加处理能力的需求下。健身追踪器和智能扬声器，农业及工厂机器都是这样的例子。特定的应用程序都规定了内存要求。丰富的嵌入式物联网体验推动了对更多外部板载内存的需求。
世界正在快速进入万物互联的IoT时代，智能手机、智慧家庭、智能网联汽车、智慧城市、工业物联网、可穿戴设备等已成为公众耳熟能详的词汇。尽管IoT的具体应用五花八门，包罗万象，但对于IoT边侧设备的要求却呈现出相当的一致性，即：低功耗、更强的计算能力、安全性和连接性。
据分析机构最新数据，因数据中心对市场产生的带动作用影响，2019年第四季度的NAND Flash的总出货量季增近10%，市场逐渐出现供不应求现象。经历了一段降价期，NAND Flash存储器终于迎来一小段上升期。随着5G通信和AI技术的发展，数据中心将继续增长。2020年中国新增数据中心市场容量将占全球新增量的50%左右。
Everspin与GlobalFoundries有着悠久的合作历史，而且十多年来，通过不断改进，对其工厂进行微调优化。能迅速积累并将这些经验传授给GlobalFoundries。Everspin表示会继续发展生态系统，来支持STT市场，并提供简单、快速的上市实施计划，从而让市场采用我们的工艺技术。
上海巨微MS1791 产品优势-单模低功耗蓝牙单芯片-高性能射频电路，符合低功耗蓝牙射频规范-高性能的，32位ARM⑧Cortex@-M0为内核的32位微控制器- UART/IIC/SPI-工作电压为2.0V ~ 3.6V工作温度范围包含-40°C~ + 85°C多种省电工作模式适合低功耗应用的要求完整的MCU设计平台和生态，开源代码参考BQB认证: BT5.0， QDID-11341...
STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM，有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案：其中还包括台积电(TSMC，22nm ULL CMOS)、三星(Samsung，28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI...
在不久的将来，我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间数据不会丢失。
MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（Write Cycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产...
STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了带磁性外壳的附加写信息线，最大限度地减少了制备工艺程序，并使存储单元的横截面积减小、存储密度高、存储速度快，满足高性能计算机系统的设计要求。
完成SRAM芯片的测试，需要设计测试电路板。测试电路板主要提供测试接口和电源。芯片的控制信号和数据信号由红色飓风II-Xilinx FPGA 开发板提供，使用ISE13.2 软件建立测试工程，编写Verilog 测试程序（主要包括按照时序提供分频后的测试时钟、数据信号和控制信号），通过JTAG 下载到FPGA 的PROM 中，重新上电进行测试，...
当前有两个不同系列的异步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来，这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中，通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下拉路径中添加额外的晶体管，因此会加剧存取延迟，而且在此过程中会延长存取时间。在快速S...
Everspin 是设计，制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的...
