Everspin是设计制造MRAM到市场和应用程序的翘楚，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin是MRAM产品的长期可靠制造商，并在亚利桑那州钱德勒（Chandler）设有制造工厂。everspin代理宇芯电子可提供产品相关技术支持服务。
移动或低功耗SDRAM提供了多种选择来同时改善活动和待机功耗。减少有功和备用电源可延长电池寿命并提高系统可靠性。通过考虑系统使用，工程师可以从以下节电选项中进行选择以提供较低的活动和备用电源：
MR5A16A是一个33,554,432位MRAM存储芯片器件，组织为2097152个16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序（对于汽车温度选项为45ns），并且具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。为了简化容错设计，MR5A16A包含内部单个...
MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路会在掉电时自动保护数据，以防止电压超出规格的写入。为了简化容错设计，MR4A16B包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个E...
ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需...
NOR Flash主要用来存储代码及少量数据，近几年因5G、IoT、TWS耳机、AMOLED屏幕、TDDI等市场快速发展而备受重视。
数据记录、物联网节点、边缘计算设备中的机器学习/人工智能以及医院中的RFID标签都可以用到MRAM。
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。
电机驱动MCU技术要点它是电机控制器即动力输出。通俗点就是你要加速他让电机转得快一些，要刹车他能让电机转的慢一点。 所以他有如下特点：（1）响应快，这个很容易理解，但其实不好做，因为工况比较复杂。举一个简单的例子就能感觉到。同样是加速，有的发生在平地，有的发生在上坡，有的发生在下坡。平地和上坡都还好，...
NOR闪存由于其可靠的数据存储而已在嵌入式设备中广泛使用了很长时间。对于某些低功耗应用，串行SPI NOR闪存变得比并行NOR闪存设备更受欢迎。与串行SPI NOR闪存相比，并行NOR闪存具有并行性，因此吞吐量更高。但是随着串行SPI NOR闪存设备中多通道（2-8条并行数据线）支持的出现，它现在在低功耗设备中变得越来越流行。这...
在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。
让我们用一个点亮LED的电路为例，来说明。如下图所示，不使用MCU的电路是一个由LED，开关和电阻构成的简单电路。
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。
MRAM轰轰烈烈地问世。但此后，MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。在目前大批量生产的产品中，MRAM的制造工艺仅达到180nm,最大容量仅为4Mb,而且，其应用仅限于取代需要电池的SRAM等特定领域。
存储器芯片供应商宇芯电子本章节对赛普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和48球型焊盘 FBGA（小间距球栅阵列）封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。
PSRAM它具有类SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，因此结口简单；但它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类SRAM的接口有可实现较大的存储容量。
IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品广泛应用在数据中心、云存储、能源，工业，汽车和运输市场中，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。
赛普拉斯凭借可服务于各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与老一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计即可提高系统可靠性。
