Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。
IoT设备的增长引发了对内存技术的新兴趣，IPUS 自成立以来，已向市场推出了具有SPI和/或QSPI（Quad SPI）存储器总线接口的IoT RAM。致力于为物联网市场提供解决方案。IPUS代理商宇芯电子接下来介绍关于IPUS SQPI PSRAM为STM32单片机提供扩展方案。
SRAM是随机存取存储器的一种。所谓的静态是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能.宇芯电子专注提供SRAM芯片,国产SRAM,进口SRAM（ISSI、VTI、JSC、）
ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺技术与创新的电路设计技术相结合，可生产出性能更高且功耗更低的器件。当CE为高电平（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平来降低功耗。
嵌入式静态随机存取存储器SRAM是现代SoC中的重要组成部分；伴随着工艺前进的脚步，对于SRAM的研究也从未终止过。其中双端口SRAM可以为系统提供更高的通信效率和并行性，随着系统吞吐率的提升应用也越来越广泛。
SRAM 以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中，多被用作不同部件之间的缓冲，尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色，即嵌入到CPU 内部的高速缓存（Cache）。计算机的处理速度在高速增长，为了提供足够的数据缓存能力，随着集成电路制造工艺的发展，嵌入式SRAM 的存储单元的面积也在以约0.5 倍每代的速度减小，...
华为5月中旬首次向上汽的量产车型EUNIQ系列供应电机控制器，引起汽车电子行业人士高度关注。华为提供的电机控制器，可以3%的高精度调整电机扭矩和输出控制。经过上汽MAXUS与华为的联合调教，EUNIQ系列纯电版车型0~50km/h加速成绩小于5秒。优异的表现来源于车规级MCU的性能以及华为在电机控制器的技术。
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高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb...
MCU经过多年发展，性能也得到了很大的提升。因为MCU必须顺序执行程序，所以适于做控制，较多地应用于工业。由ST厂商推出的STM32系列单片机，行业的朋友都知道，这是一款性价比超高的系列单片机，应该没有之一，功能及其强大。其基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M内核，同时具有一流...
新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目...
Everspin了解工业市场客户的独特需求，自动化控制器在长期恶劣的工业环境中，诸如长期数据保留和极端温度支持之类的功能非常重要。通过避免使用其他非易失性存储技术所需的纠错码和损耗均衡方案，该技术的固有耐久性简化并加快了产品开发。
MB85R2001是一种富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与Flash存储器 和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM...
SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比，可以有一个更复杂的操作模式。下面宇芯电子介绍关于静态SDRAM和动态SDRAM的区别。
近日中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。
SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消失，因此SRAM存储器具有较高的性能。SRAM虽然只是存储器，但是使用的方法不一样，芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实：
存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并...
上海灵动微电子MM32F103C8T6使用高性能的ARM® CortexTM-M3 为内核的32 位微控制器，最高工作频率可达168MHZ，内置高速存储器，丰富的增强型I/O 端口和外设连接到外部总线。MM32F103C8T6工作电压为2.0V~ 5.5V，工作温度范围包含-40◦C~ +85◦C 常规型和-40◦C~+105◦C 扩展型。具有多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。并...
