武汉新芯集成电路制造有限公司是国内紫光存储旗下一家领先的非易失性flash芯片存储供应商，武汉新芯宣布推出50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围，适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。
XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供应商更快更强的性能，在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。
XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封装，适用于便携式产品设计。
“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上。此外客户可以通过宽电压功能实现更好的库存管理。” 武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“ 该系列产品的发布是武汉新芯自主品牌战略的关键里程碑，未来武汉新芯也将针对持续发展的IoT市场不断开发出创新产品，不断扩展高性能存储产品组合
