英尚微电子 · 2019年12月30日

everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

随着技术的进步,批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力,促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升,静止式电表也逐步取代了传统的机电式电表。智能电表是基于现代通信技术、计算机技术、测量技术,对电能信息数据开展采集、分析、管理的先进计量装置。

智能电表需要进行数据记录以进行能源管理和计费,并具有增强的可靠性,以便在恶劣环境下长期使用。另外需要长时间保留数据,以便公用事业公司可以监视使用模式或利用使用时间费率结构。

智能电表制造商开始采用mram进行现场数据保留。这是正确的,因为在整个工作温度范围内可保留20年的数据,这意味着可以依靠MRAM存储器进行关键数据存储,而无需电池备份。如果电源出现故障,恢复电源后数据不会丢失,并且内存将完全恢复。

zndb.jpg

公用事业公司可以提供动态的安全功能,其中可以安全地更新或删除安全密钥和代码。使用MRAM可以使用高强度磁场检测篡改。

无线电和微电子(RIM)最近选择了everspin 4Mb串行SPI MRAM用于RIM789智能电表。RIM三相智能电表已在俄罗斯获得GOST 52320-2005认证,已指定在恶劣环境中部署30年,具有自我诊断能力,并能抵抗气候,机械和电磁影响。

4Mb串行SPI MRAM芯片其他型号如下:
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40CDCR 8-DFN 3.3v Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1
4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1
4Mb 512Kx8 MR25H40VDF 8-DFN sf 3.3v Extended
4Mb 512Kx8 MR25H40VDFR 8-DFN sf 3.3v Extended
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial
4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V Industrial

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