XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,
XM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,
XM8A51216具有以下几个技术特点：
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；
2、容量覆盖Megabit到Gigabit；
3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；
4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。
XM8A51216封装图
