【嘉德点评】开元通信的此项发明不仅提供了一种可以有效提升体声波器件性能的措施外，还提出了对应器件的制备方法，使得造出的体声波器件具有较高的性能。作为中国领先的射频滤波芯片供应商，开元通信不断在工艺、设计等领域实现自主创新，形成了具有高度竞争力的国产BAW滤波器。
集微网消息，在5G产品加速落地的推动下，移动终端，例如手机越来越普及。而滤波器作为移动终端中不可缺少的射频器件，其需求量的增长也不容小觑，但国内自给率仍然较低。
现阶段常用的滤波器有声表面波器件(SAW, Surface Acoustic Wave)和体声波器件(BAW，Bulk Acoustic Wave)。其中体声波器件作为滤波器的一种，因其具有插入损耗低、高滚降特性、功率承受能力强、适用于高频等优势被广泛应用在通讯行业之中。那么如何有效提高体声波器件的性能，例如带外抑制、回波损耗等就是本领域技术人员急需解决的问题。
在现有技术中，体声波器件所用的匹配电容，都采用外置SMT(表面贴装)电容或者将电容设置在PCB中。这一方面增加了成本，另一方面，使用SMT电容或者在PCB中设置电容，比较难实现较小的电容，并且在PCB中设置电容容易引入寄生效应，影响器件的性能。
为了解决以上问题，开元通信申请了一项名为“一种体声波器件及其制备方法”（申请号：201810835617 .3）的发明专利，申请人为开元通信技术（厦门）有限公司。
图1体声波器件的俯视图
图2为图1中沿A-A’线的剖视图
图1和图2是此专利提出的一种体声波器件的俯视图和剖视图，体声波器件主要包括衬底1、第一电极2、压电薄膜3、第二电极4以及第三电极5。其中，第三电极5与第一电极2和第二电极4中会至少形成一个电容。
图3 体声波器件制备方法流程图
上图是为本发明提出的第一种具体的体声波器件制备方法流程图，首先我们会在衬底的第一表面设置第一电极，通常是先在衬底的第一表面沉积金属层，再图案化该金属层，以将金属层刻蚀成第一电极。然后在第一电极背向衬底一侧表面沉积预设厚度的压电薄膜，并在刚刚得到的压电薄膜的表面沉积金属层。接着对金属层进行图案化，把在压电薄膜表面沉积的金属层刻蚀成预设的形状，以形成第二电极。
然后刻蚀压电薄膜的非体声波传播部，以形成第三电极设置窗口。通常情况下会刻蚀透压电薄膜，这样就能暴露出第三电极设置窗口对应的第一电极。若第一电极需要通过焊盘与外界的其他部件相互电连接，那么在刻蚀出第三电极设置窗口时，可以同时在压电薄膜的非体声波传播部刻蚀出焊盘设置窗口，以备在后续步骤中设置与第一电极电连接的第一焊盘。最后就是在第三电极设置窗口中沉积第三电极，并将第三电极与第一电极相互电连接。
开元通信的此项发明不仅提供了一种可以有效提升体声波器件性能的措施外，还提出了对应器件的制备方法，使得造出的体声波器件具有较高的性能。作为中国领先的射频滤波芯片供应商，开元通信不断在工艺、设计等领域实现自主创新，形成了具有高度竞争力的国产BAW滤波器。
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（校对/holly）
