ISSI为汽车，数字消费者以及工业和医疗主要市场设计。其主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存储器。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。为关键市场开发精选的非内存产品。为了增加产品的多样化并提供SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品。其中旗下的IS62WV102416AL在市场上深受各汽车,工业行业的喜爱。ISSI代理商宇芯电子可提供样品及技术指导.
描述
ISSI IS62WV102416ALL是高速的16M位静态RAM，组织为1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高性能CMOS技术所制造出来的。这种可靠的工艺加上创新的电路设计技术就可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS1为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或CS1为低电平，CS2为高电平且LB和UBare均为高电平时，器件将处于待机模式，在待机模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。该器件采用的是JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚Mini BGA（9mm x 11mm）的封装形式。
1Mx16低功耗引脚配置
48针迷你BGA（9mmx11mm）
48引脚TSOP-I（12mm x 20mm）
特征
•高速访问时间：
25、35 ns
•高性能，低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚，增强了抗噪能力
•通过CS1和OE选项轻松扩展内存
•CS1掉电
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•单电源
Vdd 1.65V至2.2V（IS62WV102416ALL）
Vdd 1.65V至2.2V的速度= 35ns
Vdd 2.4V至3.6V（IS62 / 65WV102416BLL）
Vdd 2.4V至3.6V的速度= 25ns
•可用软件包：
– 48球miniBGA（9mm x 11mm）
– 48引脚TSOP（I型）
•工业和汽车温度支持
•无铅
•高低字节数据控制
