宇芯电子 · 2020年06月12日

分享一款高速低功耗2MX8位CMOS静态SRAM

ISSI IS62WV20488ALL一款高速,低功耗,2MX8位CMOS静态SRAM。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可产生更高性能和更低功耗的设备。当CS1为高电平或CS2为低电平时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。IS62WV20488ALL采用单电源供电,所有输入均兼容TTL。IS62WV20488ALL提供48球mini BGA和44引脚TSOP(II型)封装。ISSI代理商提供样品及解决方案。

引脚配置
ISSI2.jpg

IS62WV20488ALL特征
•高速访问时间:25、35ns
•高性能,低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚,增强了抗噪能力
•完全静态操作:无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•单电源
–Vdd1.65V至2.2V(IS62WV20488ALL)
Vcc=1.65V至2.2V时,速度=35ns
–Vdd2.4V至3.6V(IS62WV20488BLL)
Vcc=2.4V至3.6V时,速度=25ns
•可用软件包:
–48球miniBGA(9mmx11mm)
–44引脚TSOP(II型)
•工业温度支持
•无铅

功能框图

ISSI1.jpg

交流测试负载

ISS3.jpg

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168
专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,产品主要应用于:工业控制,物联网,智能控制,消费类电子,仪表仪器等多方面。
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