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第31期“集微公开课”于7月28日（周二）上午10:00直播，邀请到成都锐成芯微科技股份有限公司器件研发总监王明博士，带来以《ACTT多样化嵌入式存储IP，让SoC平台选择更从容--逻辑工艺和特种工艺上的嵌入式eNVM方案》为主题的精彩演讲。
随着5G、AI、物联网等技术的发展，在应用层面，像消费电子、工业、汽车、数据中心等领域的存储技术在不断演进；芯片技术发展方面，摩尔定律的演进也对存储技术提出了更高的要求。
面对多样化的存储市场需求，需要产业链上下游企业以丰富的产品矩阵来应对。
成都锐成芯微作为本土IP提供商，面向全球客户不仅可提供专业、丰富的超低功耗模拟IP、数模混合IP，还可向客户提供多样化、高可靠性eNVM解决方案。
后摩尔定律时代特色工艺对eNVM的需求
伴随着摩尔定律接近物理极限和研发成本限制，开始向后摩尔定律时代发展。
成都锐成芯微器件研发总监王明博士指出，在后摩尔定律时代，器件价值、性能的提升，已经不完全依靠工艺制程的提升，而是通过增加模拟/射频、高压电源以及各种传感器、驱动器等多种功能实现，SiP、SoC已成为业界公认的提升途径。
从存储角度来看，SiP Flash因为I/O toggle，一般耗电比SoC多30%；SiP Flash需要将数据拷贝到SRAM里面，上电时间较长；速度方面，SoC可支持的带宽是x16/x32/x64/x128，不受PIN脚限制；SoC在安全性、可靠性方面高于SiP。
王明博士表示，尽管从成本角度来看SiP可能优于SoC，但综合看SoC有着相当大的市场需求。相应的SoC中的嵌入式存储方案需求也是日益增长。
SoC中eNVM嵌入式非易失性存储器，根据应用领域其主要功能分为6类，即身份信息、安全密钥、参数设置、固件代码、功能选择与修正。
特色工艺产品与应用场景密切相关，不同的特色工艺对NVM都有着不同需求。王明博士分享中介绍了一些特色工艺，包括 : NVM工艺、 BCD工艺、HV工艺、CIS工艺、MEMS工艺等。
特色工艺平台上如何实现eNVM方案
eNVM是在逻辑工艺平台的基础上开发的特殊工艺，通过这种工艺生产出带有非挥发存储器模块的芯片。eNVM凭借其能耗低、非易失性、密度高、延迟低等优点也愈发受到市场的青睐。
MTP、OTP、eFlash、poly-fuse、ROM是较为常见的嵌入式存储方案。成都锐成芯微针对特色工艺上不同的应用场景和需求，把公司的技术进行分类，包括ACTT LogicFlash、ACTT OTP、ACTT LogicFlash Pro、ACTT eFuse等，可为客户提供一站式的eNVM解决方案。
王明博士着重介绍了LogicFlash技术，其特点为容量大、面积小、成本低、擦写次数超过一万次，可满足严格的汽车电子认证标准。该技术与CMOS逻辑工艺、BCD工艺完全兼容，做无须增加光罩的情况下，可为客户的SOC提供小面积、高密度、低功耗、高可靠性、高速读写的嵌入式储存技术。
据悉，目前，成都锐成芯微在NVM储存器上拥有多项专利，并开发了与多种不同特色工艺，兼容40nm/55nm/90nm/0.11um/0.18um上的OTP/MTP/Flash解决方案。
多样化的eNVM方案满足不同应用需求
成都锐成芯微的eNVM IP已广泛应用在MCU、PMIC、RF SoC、Analog IC以及汽车电子等应用领域，其优良的性能和高可靠性深受客户信赖。
王明博士例举了成都锐成芯微具有代表性eNVM方案在不同特色工艺上的应用实例，例如：基于RF工艺的光通信芯片、基于Green工艺的电子烟专用MCU芯片、基于混合工艺的VCM驱动 AF/OIS控制器、基于BCD工艺的汽车电子的锂电池芯片等应用实例。
在汽车电子锂电池芯片方面，基于成都锐成芯微0.18um BCD工艺平台的方案，可满足客户对高可靠性的需求，可达到汽车电子Grade-1级别；数据可编程/擦除次数达1万次以上；eNVM主要用于存储代码，容量4K*8bit。
在音频芯片方面，成都锐成芯微提供的基于0.11um HV工艺平台的方案，可满足客户对IP面积要足够小；写电压支持4～7V；eNVM主要用于trim，容量2*16bit等需求。
在VCM驱动 AF/OIS控制器方面，基于0.11um 混合工艺的eNVM方案，具有宽电压域操作, 1.2/3.3v双电源供电、待机低功耗等特点；eNVM主要用于code storage，容量2K16。
在电子烟专用MCU芯片方面，基于0.153um Green工艺eNVM方案，可满足产品减少光罩层次，低成本；5V单电源供电；eNVM主要用于代码存储，容量2K*8bit等需求。
通过不断加大研发投入，优化设计，成都锐成芯微eNVM方案在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力方面都具有突出优势，同时在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力。
王明博士表示，目前，成都锐成芯微的eNVM技术已同国内外众多家晶圆代工厂展开合作，在几十个工艺节点上完成硅验证，覆盖从55nm-180nm多个工艺节点，Logic/MS、BCD、HV、SiGe等多种工艺平台，同时，和众多国内外芯片设计公司达成合作协议，支持客户的新产品导入及量产。
（校对/kaka）
