随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.
什么是STT-MRAM？
嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。
STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时，电阻低。当第二个磁铁反转方向时，电阻很高。
由于磁性隧道结（MTJ）器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端（BEOL）互连层，因此STT-MRAM技术享有低功耗和低成本的优势。在商业代工厂中，STT-MRAM的支持正在加速发展，GlobalFoundries，英特尔，三星，台积电和联电都已公开宣布为28nm / 22nm技术的SoC设计人员提供产品。
系统设计师正在将STT-MRAM技术用于低功耗MCU设计（例如IoT穿戴式设备），这些设计可以从较小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常会为这些早期采用者取代嵌入式闪存。对于自动驾驶雷达SoC，STT-MRAM的数据保留和密度是显着的优势。在不久的将来，STT-MRAM将用于最终应用（例如超大规模计算，内存计算，人工智能和机器学习）中替代SRAM。
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