MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，Everspin代理英尚微电子为用户提供技术指导及产品应用解决方案。
基于微机电系统（MEMS）的磁力计将使用MRAM替代日本研究卫星上的静态RAM和闪存。MRAM取代了Angstrom的SpriteSat模块中的闪存和电池供电的SRAM。MRAM在卫星任务的各个阶段重新配置关键程序和航线定义的能力是一项重大收益。
工程师在SpriteSat上检查了Angstrom航空航天公司基于MRAM的磁力计子系统，该子系统将由日本航空航天开发局启动。
MRAM于1990年代构想，可以替代从RAM到硬盘的各种类型的内存。由于它是固态的，因此MRAM超越了硬盘的旋转机制。同样，由于单个位可以无限次地擦除和重写，因此MRAM超过了闪存，后者只能在小于100万次的大块中擦除和重写，直到位开始失效。MRAM也是非易失性的。
Angstrom Aerospace在其卫星子系统中仅使用MRAM。MRAM将保存存储的程序数据以及其现场可编程门阵列的配置位。此外MRAM相对容易的重新编程能力将允许通过将新的内存映像上传到MRAM来从头对程序代码和FPGA进行重新配置。
例如Everspin MRAM MR2A16A存储4 Mbit数据，对于军事和航空航天等利基应用，MRAM开始取代其他类型的内存。MR2A16A是永久存储和检索关键数据和程序的应用程序的理想存储器。拥有商业，工业运行温度。MR2A16A MRAM具有在-55至+125摄氏度的温度范围内符合军事规格。Everspin MRAM在-40至+105摄氏度下运行。提供AEC-Q100 1级合格选项。35ns的读写速度，具有无限的耐力。数据非易失性，使用寿命长达20年。数据保留掉电。符合RoHS的软件包等功能。
