集微网 · 2020年09月04日

【专利解密】宇阳科技 MLCC电极移位检测方法

【嘉德点评】宇阳科技发明的MLCC电极移位的检测方法,通过在印刷网版的空白留边处上设置标识图形,并且在印刷时形成标识部,最终经过后续叠层、切割后在芯片侧面显示。从而完成可通过只检测标识部的图形排列,就可以判断出内部电极的对位情况,实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位

集微网消息,宇阳科技的“移动互联用超微型片式多层陶瓷电容器”项目获得了由中国电子学会评出的“2017年度中国电子学会科学技术奖科技进步二等奖”。由中国电子学会正式颁发奖项,对宇阳科技成果鉴定的结论为:填补国内空白,达到国际同类产品先进水平!

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超微型片式多层陶瓷电容器(MLCC)被广泛应用于新一代电子信息技术产品当中,是典型的基础元件,同时也构成了现代制造业的基础。其在高档无源元件领域率先实现了纳米尺度的技术突破,对于电子信息产品的更新换代以及竞争力提升具有战略意义。

在MLCC等陶瓷元件的印刷过程中,传统印刷图形由MLCC内电极(1)与短轴空白留边(2)及长轴空白留边(3)组成,如下图所示,印刷后的膜片经过叠层、切割后形成芯片。

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在切割芯片的两个端面后可以看到短轴方向的内电极排列,从而迅速检查是否存在短轴切偏或短轴移位。但是由于长轴方向的内部电极排列被切割芯片侧面留边挡住,如下图所示,导致无法通过芯片侧面外观直接检验内部电极排列情况。

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目前检验切割芯片长轴方向内部电极排列的做法,是使用刀片把芯片沿长轴方向切开,再检查内部电极是否存在长轴切偏或长轴移位情况。这种长轴方向检查操作十分繁琐且效率低,并且存在长轴切偏或长轴移位流入下工序的风险,同时也影响产品质量。

因此,为了解决这些问题以及弥补不足,宇阳科技在16年6月28日申请了一项名为“快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法”的发明专利(申请号:201610484312.3),申请人为深圳市宇阳科技发展有限公司。

根据目前该专利公开的资料,让我们一起来看看这项电极移位检测技术吧。

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如上图,为该专利中发明的快速检测电极移位的印刷网版俯视图,可以看到:丝网版的本体设置有多个平行交错的内电极图形11,沿丝网版的本体短轴方向相邻两个内电极图形之间设置有用于检测电极移位的标识图形20。

这样,通过在丝网版的本体短轴方向相邻两个内电极图形之间,增加标识图形,使得在印刷内电极时,可以同步的将标识图形印刷在陶瓷膜片上,就能够形成可以用于标识的部分。

之后经过后续叠层、切割后,该标识部会在芯片侧面显示,因此可通过检测标识部的图形排列,直接判断出内部电极的对位情况,从而实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位,大大提高检测效率。

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而根据这种快速检测电极移位的印刷网版印刷出的芯片切割示意图也可以看出,标识图形位于第一空白留边部和第二空白留边部的相交处,且与两侧的内电极图形子单元均不连接。例如图中所示,标识图形为正方形,标识图形的边长小于等于第二空白留边处的宽度,且数量为4-50个。

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上图为芯片叠层的立体示意图,从立体示意图中可以更加清楚的看到:印刷内电极时,会同步的将标识图形印刷在陶瓷膜片上形成标识部,之后再对于陶瓷膜片进行叠层切割,切割之后的芯片标识图形将会裸露在陶瓷芯片的端面及侧面的固定位置。

由于标识图形是随着内电极同步印刷的,若内电极在印刷时,长轴方向发生了移位,则标识图形在切割芯片的侧面位置会发生变化。从而可以利用电极对位的情况,实现快速检测电极移位情况并且保证产品质量。
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最后,上图为电极移位的检测方法的流程图,首先,根据内电极图形和标识图形同时将内电极和标识部印刷在陶瓷膜片上,再将陶瓷膜片重复叠层,并在达到预设层数后进行切割形成陶瓷芯片。再判断标识部是否排列在陶瓷芯片侧面的预设位置:若是,则判断内电极排列;若否,则判断内部电极发生移位。

以上就是宇阳科技发明的MLCC的电极移位的检测方法,通过在印刷网版上设置标识图形,并且经过后续叠层、切割后在芯片侧面显示。从而完成只检测标识部的图形排列,就可以判断出内部电极的对位情况,实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位,大大提高了检测效率,也可以保证产品质量!

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深圳市嘉德知识产权服务有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成,熟悉中欧美知识产权法律理论和实务,在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验。

(校对/holly)

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