导读
随着全球各行业数字化转型的深入进行，对更节能、更安全、更可扩展的物联网互联世界的需求至关重要。在FD-SOI工艺节点上采用嵌入式磁阻随机存取存储器(eMRAM)非易失性存储器(NVM)是一个重大进步。eMRAM代替eFlash NVM刨制工艺节点，为支持这个互联世界的物联网终端设备设计提供了一种新的选择，eMRAM在单个存储器阵列中结合了SRAM的读写灵活性和eFlash；数据保持能力；与eFlash相比，它在功耗和面积上更加高效。
作者：Phil Morris
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