英尚微电子 · 2020年09月28日

​Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT

Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚,在这些市场和应用中,数据持久性和完整性,低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个4194,304位MRAM设备系列,组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序,它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同,使用MR25H40VDF系列,读取和写入都可以在内存中随机发生,而写入之间没有延迟。

总览
MR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列,其存储器阵列使用芯片选择(CS\),串行输入(SI),串行输出(SO)和串行串行时钟(SCK)的四针接口逻辑上组织为512Kx8外设接口(SPI)总线。MRAM实现了SPI EEPROM和SPI Flash组件通用的命令子集。这样SPI MRAM可以替换同一插槽中的这些组件,并在共享的SPI总线上进行互操作。与其他串行存储器替代品相比SPI MRAM具有卓越的写入速度,无限的耐用性,低待机和运行能力以及简单,可靠的数据保留。

MR25H40VDF的优点
与富士通FRAM相比,升级到Everspin MRAM具有许多优势:
•更快的随机访问操作时间(50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK)
•高可靠性和数据保留(在125C工作温度下超过20年)
•无限读/写耐久性
•无磨损问题
•掉电时的自动数据保护
•竞争定价
•稳定的制造业供应链

MRAM.jpg

SPI MRAM裸露金属焊盘未连接至芯片,因此应悬空或连接至Vss。从SPI FRAM迁移时,请确保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封装的裸露金属焊盘未焊接在PCB上。这样做会导致SPI MRAM芯片暴露于过多的热量中,这可能会导致位故障和裕量损失。

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