宇芯电子 · 10月16日

串行SRAM和FRAM之间的相似之处

尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途,但是随着SPI等标准接口的出现,这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性,这为设计中替换串行SRAM提供了主要动力。

SRAM和FRAM之间的相似之处
SRAM和FRAM在许多设计中表现出许多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存储密度,可以支持完全随机的读写访问,并且可以获得所有结果而没有额外的延迟。鉴于这两部分都具有使用SPI接口的实现,很明显,可以认为这些部分可以在大多数设计中互换使用。以下各节描述了这些技术的共同属性。

记忆容量
当今市场上可用的串行SRAM支持从64 Kbit到1 Mbit的容量。如今,FRAM设备的容量范围从4 Kbit到4 Mbit。此外,支持超低能耗的新版本FRAM将来将支持更高的容量,最高可达16 Mbit。

即时读取/写入随机访问
SRAM和FRAM均支持即时读取或写入操作。其他技术在读取和/或写入时可能会经历很长的延迟。此外,可以使用SRAM和FRAM访问完全随机的地址,而没有块大小的限制。

没有实现特定边界的SPI地址
SRAM和F-RAM均支持即时读取或写入操作。其他技术可能会经历较长的读取和/或写入延迟。 可以使用SRAM和F-RAM访问完全随机的地址,而没有块大小的限制。

SPI标准实施
SRAM和FRAM均支持SPI接口。串行SRAM产品以较低的密度支持SPI,并且以512 Kbit或更高的密度支持多位双SPI(DSPI)和四路SPI(QSPI)。目前,当前的FRAM部件仅支持SPI,而ULE FRAM器件则支持所有SRAM接口。所有这些实现都以某种形式的8引脚封装提供。

SRAM和FRAM技术的常用功能
在最高级别上,SRAM和FRAM的基本功能是相同的-从Kilobits到即时存储在内存中的少量兆位的随机存取存储器的容量。该存储器没有特殊配置或页面边界,并且支持标准SPI物理引脚排列。

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专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,产品主要应用于:工业控制,物联网,智能控制,消费类电子,仪表仪器等多方面。
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