宇芯电子 · 2020年10月23日

几种非易失性存储器的比较

SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源(如电池)供电时,他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。

SRAM.jpg

表1非易失性存储器比较

NVSRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素,如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命,同时也会影响系统的整体可靠性。这些问题带来的最直接的后果是∶终端客户更换电池的时间间隔更短了,例如每年就需要更换一次,而不是5~10年一次。

NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据,而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。

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专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品,产品主要应用于:工业控制,物联网,智能控制,消费类电子,仪表仪器等多方面。
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