存储器IC市场一直是动态的，但是随着边缘计算，人工智能（AI），5G和自动驾驶的兴起，对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行，使工作和商业领域发生了巨大变化，而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战，无法一次解决。
着眼于多样化内存技术的发展以及推动其发展的因素。内存技术的进步反映了数据的爆炸性增长，并且越来越需要将处理移向数据。内存和存储技术处于并行轨道，更多的工作负载在内存中处理。
新兴存储器是铁电RAM（FRAM），它使用铁电代替介电层来实现非易失性。虽然制造步骤类似于DRAM，但FRAM功能更像闪存。
FRAM存储器可以说是最成功的新兴存储器，因为它已在嵌入式应用程序中取得了进展，并有可能达到更高的密度。大约35年以来，FRAM的非易失性和低功耗是许多应用程序的理想特性，并且利基应用程序很小。
例如赛普拉斯-英飞凌提供了适用于汽车和工业应用的Excelon FRAM低引脚数，小封装选项的密度高达8 Mb。Excelon系列是专门为自动驾驶汽车所需的高速，非易失性数据记录而设计的。它还用于医疗和可穿戴、物联网传感器，工业和其他高级汽车应用。显着降低的功耗，数据保留能力和抗辐射性使铁电存储器芯片成为EEPROM和NOR闪存的可行替代品。植入式医疗设备必须运行长达十年，这是一个例子。
在德国铁电存储器公司预见到更高密度，可行的存储级存储器。正在探索氧化ha的潜力，以帮助制造该技术所需的更大的晶体管，以实现可以经济高效地制造的更高密度。
如果新兴的存储器要成为DRAM和闪存的可行替代方案，那么即使在小众应用中，控制成本并扩大制造规模的能力也至关重要。如果制造成本过高，MRAM和ReRAM，FRAM或PCRAM的任何吸引人的特性最终都不重要。甚至3D NAND都经历了成长的烦恼-尽管比其平面前代产品具有许多优势。
