英尚微电子 · 2020年12月23日

NV-SRAM成为写日记应用程序的理想非易失性存储解决方案

RAID存储系统概述

RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson,Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期描述为“廉价磁盘冗余阵列”。现在它已成为实现以下目的的冗余和并行性的数据存储方案的统称:与单个磁盘驱动器或“只是一堆磁盘”(JBOD)相比,具有更好的容错能力和更好的输入/输出(I/O)性能。RAID通常代表由许多存储磁盘组成的系统,服务器可以通过高速以太网或光纤通道(FC)介质访问这些存储磁盘。磁盘驱动器I/O速度是大多数存储系统中的主要性能瓶颈。通常RAID系统使用并行磁盘访问和高速缓存来提高读取和写入性能,同时使用冗余磁盘进行故障恢复以增强容错能力。

通常使用电池来备份RAID系统中的高速缓存(尤其是写高速缓存),以避免由于电源故障而丢失数据。在许多此类系统中,写日志用于在数据从主机传输到存储系统时跟踪数据,并允许快速系统恢复,以防在将数据提交到磁盘之前发生电源或磁盘故障。如果在进行写事务时断电,则会在加电时回读日志存储器以标识挂起的写操作。RAID控制器会不断访问日志以写入日志,因此写入日志功能需要具有高速和高耐久性的非易失性存储器。此外存储在该存储器中的数据的可靠性至关重要,因为在电源故障的情况下丢失该数据会导致存储系统的长时间停机。

NV-SRAM

NV-SRAM(非易失性静态随机存取存储器)是具有SRAM接口的快速非易失性存储器。对NV-SRAM的所有读取和写入均由SRAM完成,这使其具有独特的能力以极高的速度执行无限的读取和写入操作。如果断电则保存在SRAM中的数据将被传输到与每个SRAM单元集成在一起的非易失性(NV)元件中。上电时数据自动传输回SRAM。高速和无限的写/读耐久性和高可靠性使NV-SRAM成为写日记应用程序的理想非易失性存储解决方案。

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