IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS1为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或CS1为低电平时，CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件将进入待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入降低功耗水平。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。
IS62WV51216EBLL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm），44引脚TSOP（II型）和48引脚TSOP（I型）中。
512Kx16低压超低功耗sram主要特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW（典型值）运行
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V–2.2VVDD（62/65WV51216EALL）
–2.2V--3.6VVDD（62/65WV51216EBLL）
•高低字节数据控制
•汽车温度（-40oC至+125oC）
异步SRAM广泛的解决方案
-提供x8，x16和x32配置
-5V/3.3V/1.8VVDD电源
-商业，工业和汽车温度（-40°C至125°C）支持
-BGA，SOJ，SOP，sTSOP，提供TSOP软件包
•ECC功能可用于高速异步SRAM
•长期支持
关于ISSI
ISSI是为汽车、通信，数字消费和工业及和医疗主要市场设计开发和销售高性能集成电路的技术领导者。主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信，数字消费，工业和医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处理大量数据。ISSI代理支持提供产品产品相关技术方案。
