【嘉德点评】芯旺微电子的MCU的微功耗低电压检测电路专利，通过镜像电流模块的设计，解决了现有低电压检测电路工作电流大、功耗大、不能满足MCU静态功耗的要求等问题。
集微网消息，在美国对国内半导体事业的打击下，为了抓住国产替代以及新型应用市场机遇，芯旺微电子仍然持续扎根自主半导体产品，同时更专注于高可靠、低功耗、高性能的MCU产品。
微处理器MCU是一个复杂的系统，为了系统稳定可靠地工作，供电电压必须在一定范围内，当电压太高时，会损坏电路，而电压太低时，晶体管工作不正常，会发生读出错误的现象。低电压检测电路就是监视MCU的供电是否低于某个低电压的电路，考虑到MCU静态功耗的要求，在使用时，允许关掉低电压检测电路。但是有些应用不允许关掉低电压检测电路，而又对静态功耗有要求，这就需要一种微功耗的低电压检测电路。
为此，芯旺微电子于2019年7月18日申请了一项名为“一种用于MCU的微功耗低电压检测电路”的发明专利（申请号: 201910651953.7）,申请人为上海芯旺微电子技术有限公司。
图1 MCU微功耗低电压检测电路结构示意图
图1为本发明提出的MCU微功耗低电压检测电路结构示意图，用于MCU上电和掉电过程中的低电压检测。其中,镜像电流模块的输入端与MCU供电电压相连，输出端与比较模块的输入端、镇流电阻的一端相连，比较模块的输入端还与镇流电阻的一端相连，输出端与负载的一端、整形模块相连，镇流电阻、负载的另一端接地。
镜像电流模块能够通过宽长比相同的两个PMOS场效应管M0、M1产生随MCU供电电压的变化而变化的一对镜像电流，分别流过比较模块和镇流电阻。比较模块包括宽长比不同的两个PMOS场效应管M2、M3，根据两个PMOS场效应管的导通电压不同，以及镇流电阻和镜像电流模块上的电压变化，进行翻转输出，整形模块再进行整形，输出对应的高电平和低电平。
这样，以镜像电流模块产生的一对镜像电流作为比较基础，使其分别流过比较模块和镇流电流，以镜像电流模块上的电压和镇流电阻上的电压作为比较模块的输入，随着MCU上电或者掉电过程中供电电压的变化，使镜像电流也发生相应的变化，进而使镜像电流模块上的电压和镇流电阻上的电压也发生相应的变化，控制比较模块的翻转输出，从而完成对MCU上电或者掉电过程中的低电压检测，整个电路无需基准电压参考电路，大大降低了电路功耗，可以满足MCU静态功耗的要求。
简而言之，芯旺微电子的MCU的微功耗低电压检测电路专利，通过镜像电流模块的设计，解决了现有低电压检测电路工作电流大、功耗大、不能满足MCU静态功耗的要求等问题。
芯旺微电子是一家专注基于自主IP KungFu内核架构研发高可靠、高品质产品的高新技术企业。核心技术自主可控，构建KungFu产业生态，成为半导体产业技术的引领者，将是芯旺微电子长期坚守的品牌发展战略。
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（校对/holly）
