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存储器芯片行业研究宝典

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中国存储器芯片行业

定义及分类

DRAM、NOR Flash、NAND Flash三类存储器之间的应用已产生隔离,难以相互代替,市场自成体系。

存储器芯片定义及分类

存储器芯片是半导体存储产品的核心,是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元,其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。半导体存储按照掉电后是否保存数据,分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要以随机存取器RAM为主,使用量最大的为动态随机存储DRAM。非易失性存储中最常见的为NOR Flash与NAND Flash,其中NOR Flash因其读取速度快且可擦除写入,被作为代码存储的主要器件,NAND Flash在高容量时具有成本优势,且读写速度比传统的光学、磁性存储器快,是现在主流的大容量数据存储器件。

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中国存储器芯片行业制程分析

当前中国NOR Flash芯片技术基本成熟,但在DRAM、NAND Flash芯片领域,仍与国际领先水平有着一代以上的技术差异。

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中国存储器芯片行业市场现状

存储器芯片传统应用市场规模稳定,近年来,随着技术的发展,不断有新下游应用拉动行业发展。

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新应用市场

数据存储需求

汽车电子系统开始支持GUI、语音识别、高级数据处理功能产生大量数据存储需求。

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口令存储需求

随着汽车智能化发展,搭载更多即时启动应用,而及时启动最佳解决方案为NOR Flash。

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产业链

存储芯片产业是国家战略产业,直接关系到电子信息产业的发展,中国正逐渐在全产业链各个环节中实现对进口产品的替代。

存储器芯片产业链介绍

中国半导体产业链由上游为半导体支撑产业,中游为存储芯片行业,下游市场参与者由众多电子整机厂组成。存储器芯片是集成电路价值量最大的产品之一,存储芯片产业是国家战略产业,直接关系到电子信息产业的发展,中国正逐渐在全产业链各个环节中实现对进口产品的替代。

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产业链上游分析

大基金二期注册成立,以长江存储为代表的存储器芯片厂商是重点投资对象,其产业链上游的半导体材料与设备是投资热点。

存储器芯片行业产业链上游分析

大基金二期重点布局半导体产业链上游,半导体材料与半导体设备行业有望在未来实现进口替代。2016年成立的大基金一期接近尾声,其重点投资领域为集成电路制造,重点解决中国晶圆代工产能不足、技术落后的问题。2019年10月,大基金二期注册成立,以长江存储为代表的存储器芯片厂商是重点投资对象,其产业链上游的半导体材料与设备是基金投资的热点之一。

半导体材料

技术垄断:美国、日本、韩国、德国等国家占据主导地位

中国半导体材料的市场规模占全球比重逐年上涨

整体表现为企业数量少、市场规模小、技术水平低以及产业布局分散的特征

半导体设备

总体国产化率较低,属于产业链薄弱环节,国产替代空间巨大

中国晶圆厂建设与扩产招标过程中,半导体设备国产化率从逐渐提高

存储器芯片发展扩产为中国半导体设备厂商提供了更多的发展机遇,中国将进入半导体设备国产化窗口期

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产业链中游分析

全球范围内,美、韩两国存储器芯片厂商居头部,技术领先,议价能力强,近年来中方企业技术逐渐实现赶超,预计未来将实现国产替代。

设计环节(占成本30%)

1、中国IC设计行业缺乏自主设计流程的能力,还不具备COT设计能力,主要依靠工艺技术的进步和EDA工具的进步。

2、除兆易创新外,中国存储器芯片厂商多为IDM模式发展。

制造环节(占成本40%)

1、当前在高端制程,中国厂商难以实现国产替代。

2、3D NAND Flash领域:三星86层技术成熟,当前长江存储64层产品已小范围量产,目前在调试设备跨86层。

3、实现128层技术弯道超越。

4、DRAM领域:当前中国全面落后于国际头部企业。

封测环节(占成本30%)

1、中国集成电路封测水平居全球领先水平,已完全实现国产替代。

2、存储器芯片封测行业属于劳动密集型、技术密集型企业。

3、封测水平反向推动产业链中游芯片制造业的发展。

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产业链下游分析

三大主流存储器芯片近年来下游市场规模逐年扩大,旺盛的下游需求推动存储器芯片行业的发展。

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电子整机搭载内存容量不断扩大

•PC市场: 需求从装机标配4GB过渡到了8GB、16GB甚至是32GB,市场需求量进一步扩大。

•移动端: 以智能手机为主要代表的移动端以内存容量作为产品属性提升的空间,当手机内存的标配从1GB、2GB转变到6GB、8GB时,其对DRAM的需求量也有了极大的增长,再加上智能手机的快速普及与其巨大的市场保有量,抢占了一大部分DRAM资源。
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SSD和智能手机市场NAND Flash需求的增长已经弥补了其他消费类电子市场需求的相对平淡。

•智能手机: 2019年全球智能型手机出货14.9亿台,苹果、三星、华为、OPPO、vivo等头部智能手机品牌旗舰机纷纷以64GB、128GB、256GB为主打容量,再加上平板、车载、智能盒子等细分市场需求eMMC/eMCP等嵌入式产品消耗了42%的NAND Flash产能。

•SSD市场: 数据中心、服务器等领域对数据分析、处理、响应速度的要求不断提高,谷歌、Facebook、百度、阿里巴巴、腾讯、华为等对SSD需求强劲。消费类市场,超极本、二合一等轻薄笔记本对SSD搭载率不断增加,去年消费类市场SSD出货超1.5亿台,再叠加工业、金融、车载等领域SSD需求,全球SSD共消耗近50%NAND Flash产能

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NOR Flash下游需求中,除了传统电脑、智慧型手机、网路通讯与消费性电子产品外,近年来最新且成长最大的需求在于智慧型手机的AMOLED屏幕,及LCD驱动IC和TDDI(Touch Display Driver IC)方案。

•智能手机: 智能手机的AMOLED屏幕需要大量消耗NOR Flash颗粒

•随着物联网、可穿戴设备、智慧城市、智慧应用、智能家居、智能汽车、无人机等厂商使用NOR Flash作为储存装置和微控制器搭配开发,NOR Flash需求将呈现爆发性增长。

市场规模

存储器芯片应用广泛,随着5G、物联网技术为中国半导体行业发展赋能,未来市场规模将进一步扩大。

近五年来,受PC及移动端电子设备内存容量不断扩大,以TWS为代表的可穿戴设备新型消费级市场快速扩张,以及大数据云计算技术不断释放对企业级存储的需求等多方因素的影响,中国存储器芯片行业整体不断发展,市场规模(以销售额计)从2014年的45.2亿美元增长到了2019年123.8亿美元,年复合增长率高达28.6%。

由于当前存储器芯片应用广泛,同时下游消费电子市场份额逐年扩大,且未来5G及物联网技术将进一步为中国存储器芯片的整体发展赋能, 预计未来中国存储器芯片还将继续保持稳定增长的态势。到2024年,中国存储器芯片市场份额有望突破522.6亿美元,占全球市场的14%。

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市场规模预测逻辑

中国电子整机制造业反向驱动上游存储器芯片发展,中国存储器芯片市场增速高于全球增速。

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中国存储器芯片行业驱动因素

国产替代大环境助推

中国存储器芯片厂商有天然地缘优势,未来对进口的依赖将会进一步减弱,国产替代率将进一步提高。

存储器芯片国产替代率逐渐提高

近十年来,中国电子工业占全球的比重持续增加,全球80%的电子整机制造在中国大陆完成。受制于中国相对落后的半导体水平,中国集成电路进口持续维持高位。过去五年来,中国集成电路进口数量始终维持上涨的趋势。2018年,中国集成电路进口金额与进口数量分别高达3,120.6亿美元,4,175.7亿只。受制于中国集成电路行业起步较晚,行业技术水平整体落后于西方发达国家,短时间内集成电路进口数量与进口金额仍将维持高位。

美国限制对中国的科技技术出口,长期将加速半导体国产化进程。目前,中国在生产代工、设备、存储器、计算、模拟及数模转换芯片、射频前端、EDA软件等领域缺口较大,存在进口替代机会。

存储器芯片品牌化程度较弱

存储器芯片产品具有典型的大宗商品属性,差异化竞争较小,不同企业生产的产品技术指标基本相同,标准化程度较高,因此品牌化程度较弱,用户粘性低。

从电子整机下游消费者角度考量: 消费者通常只会考虑存储芯片的容量,如手机存储量是64G还是128G,对存储器芯片品牌不会有过多关注。

从存储器芯片厂角度考量: 行业壁垒高,头部企业通常体量大、投资高、规模庞大,下游整机厂在选配存储器芯片时,在产品性能、物理属性等技术性能接近的情况下,报价通常作为第一考量因素。

从电子整机厂角度考量: 尤其是消费类电子整机出货量通常以亿为计量单位,存储器芯片作为核心存储硬件单元,需求量与其倍数相关,巨量需求下,性价比直接决定品牌的市场份额。因此,对于存储器芯片行业,只要技术参数上达到产品需求,不同品牌的可替代率很高,这为中国存储器芯片品牌的发展提供了弯道超车的可能。

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物联网技术的发展

物联网技术的发展使得设备的网络接入量与整体数据存储量呈现爆发式增长,直接拉动存储器芯片行业的发展。

物联网是NOR Flash发展的核心推动力

物联网技术的发展使近年来NOR Flash呈现市场复苏。通常,物联网接入设备的系统与手机、计算机等相比更简单,处理数据更少,对存储空间的要求较少,一般在几兆到几百兆之间。此时物联网接入设备采用NOR Flash替代传统计算机、手机等设备以DRAM和NAND Flash为核心的内存处理方案是性价比最高的选择,这使得物联网技术赋能的新设备仍能维持在当前价格水平,逐渐提高在整体产品市场的渗透率。

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物联网技术发展对存储器芯片行业推动作用

物联网将更多常见设备接入互联网,如冰箱、空调、洗衣机、电视等。

移动端电子产品及可穿戴设备市场规模的不断增大。

存储空间增大提升单颗芯片售价。

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物联网、云计算等新增应用叠加5G基建产生巨量数据,需要更强算力更大存储量服务器支持。

物联网技术赋予电子产品更强功能,需要更大内存空间支持。

中国存储器芯片行业风险因素分析

如现阶段全球疫情得不到有效控制,下游整机产能下降,势必对上游存储芯片行业造成产能难以爬坡与库存周期延长的负面影响。

“黑天鹅”影响全年消费

2020年一季度是电子消费产品发布新品旺季,在“新冠疫情”与“全球油价下跌”两只黑天鹅冲击下,2月中国制造业PMI降至35.7%,为近十五年来最低。因电子产品产业链覆盖面广,参与者众多,受不同环节、不同零部件复工复产进度不均的影响,大部分电子整机OEM厂年后产量爬坡受阻,以代工厂富士康为例,大陆生产受阻致使其母公司营收环比下降40%,创下八年新低。

消费电子终端市场新品上市后产能供应不足,且市场消费信心不足。据中国信息通信研究院数据,2月中国手机市场总出货量638.4万部,同比下降56%,国产品牌手机出货量1,310.8万部,同比下降14.7%,5G手机238万部,占比37.3%,包括华为、小米、OPPO、vivo等品牌厂均受到了不同程度的影响,且未来几个月还将受到海外“疫情”的影响。

整机厂产能下降对上游半导体行业景气程度产生消极影响

受疫情影响,各地节后复工情况步调不一致,整机厂面临一系列疫情带来的制约因素:

•供应链上下游延迟复工,或将延期投产;

•物流速度降低,甚至可能出现停运;

•产品入关检查的时间和财务成本或增加,为海外销售带来更高挑战。

全球20%晶圆代工产能落地中国,其主要原因是靠近下游客户。 虽然中国消费电子产品全链条制造资源的丰富和完善程度全球领先,仍需警惕整机厂行业寒冬期对产业链的冲击。

“新冠疫情”本年度对存储器芯片产业影响

全球电子产品市场消费信心下降

韩国受疫情影响较重,存储器芯片出货量或将受

到影响欧美日受疫情影响严重,半导体材料及设备供应受到影响

制造业三大周期: 产品周期、资本开支/产能周期、库存周期。产品周期是所有周期的根本,也是最长的周期。

在存储芯片领域,产品周期代表的是最核心最根本的影响因素,即下游需求驱动力。如PC、手机、TWS耳机是半导体行业发展过程中的产品周期,手机周期也根据技术迭代带来的产品周期进一步细分为3G、4G、5G。

1、如疫情得不到有效控制,下游整机产能下降,势必对上游存储芯片行业造成产能难以爬坡与库存周期延长的负面影响。

2、同时,存储芯片如未能在二季度实现产能顺利爬坡,也会造成库存周转困难,影响产品周期健康有序向上发展的势头。

中国存储器芯片行业相关政策法规

存储器芯片作为重要的分立器件细分应用领域,其行业的稳定发展与中国分立器件的整体发展密切相关。

集成电路在电子信息产业的地位促使国家近二十年来不断出台政策鼓励行业发展,其中最直接的政策是2011年《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》中明确对IC设计和软件企业实施所得税“两免三减半”优惠政策,该政策一直延续至今。2019年5月22日,财政部、税务总局发布公告,为支持IC设计和软件产业发展,依法成立且符合条件的IC设计企业和软件企业,在2018年12月31日前自获利年度起计算优惠期,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税,并享受至期满为止。此前,国常会就决定延续集成电路企业所得税优惠政策,会议决定,在已对集成电路生产企业或项目按规定的不同条件分别实行企业所得税“两免三减半”或“五免五减半”的基础上,继续实施2011年明确的所得税“两免三减半”优惠政策。

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中国存储器芯片行业发展趋势

存储芯片迎来黄金发展期

全球存储器市场从去年的供过于求演变到下半年及明年的供不应求,存储芯片价格上涨将超10%。

5G手机增加存储器用量

未来几年全球5G手机激活市场会从2019年的近1,000万台,爆增到2020年的1.6-2.0亿及2021年的4.0-5.0亿台,而每台5G手机都需配备8GB或以上的mobile DRAM及128-256GB的NAND闪存。

与4G手机配备64-128GB的NAND Flash相比,预计手机用NAND Flash于2020-2021年增长率超30%。

云服务器市场需求量的复苏

受疫情影响,春节期间云端服务器客户量急剧上涨。在线医疗、在线娱乐、在线教育、在线买菜等云业务的普及使得服务器数量及服务器内存用量急剧增长。

近年来,云端服务器用户大幅增长,服务器用DRAM占整体DRAM用量比例逐年上涨。由于英特尔在推出14nm++ Cooper Lake及10nm+ Ice Lake CPU数据通路自6拓展为8,数据处理效率更高,可以搭载更多内存单元,服务器内存芯片的用量将显著增加,据专家预测,2021年服务器用DRAM芯片用量占整体DRAM用量比例将达38%。

中国存储芯片国产替代还有较大的发展空间

全球内存及闪存产品在国际竞争市场上,基本均被韩国、日本、美国等国垄断。在DRAM领域,三星、海力士及美光为行业龙头,在NAND领域,三星、东芝、新帝,海力士以及美光、英特尔共同掌握全球话语权。

当前,中国已初步完成在存储芯片领域的战略布局,但由于中国起步晚,且受到技术封锁,市场份额较少,距离全面国产替代还有较大的发展空间。存储芯片良好的发展态势将为中国在这一领域的发展提供源源不断的需求保障。

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IP创新与自主制造

存储器的IP集中度低,面对国际技术封锁,当前中国厂商主要通过合作授权与自主研发相结合的方式获得IP版权。

IP创新与自主制造是存储器芯片的两个发展方向

对于存储器芯片,由于存储器芯片制程的难点在于IP和制造,头部厂商的主流经营模式为IDM模式,受制于欧美日韩对中国半导体行业的限制,中方获得IP的主要方式为合作授权与自主研发相结合的方式。

DRAM的IP领域

由于在DRAM领域中国厂商总体起步较晚,专利积累相对薄弱。但由于DRAM总体来说技术发展相对成熟,国际领先企业在研发领域资本投入已有所减少,这为中国厂商继续提高资本投入已实现国产替代提供了良好的机会。在此基础上中国厂商加快IP自主研发,降低成本的同时提高产品性能,从而在议价能力及定价弹性达到国际领先水平。

NAND FLASH的IP领域

NAND Flash的IP方面,3D NAND Flash堆叠技术自2D平面技术升级而来,由于3D堆叠技术为近年来出现的新技术,中国头部企业长江存储与国际大厂的技术差距相对较小。但在IP储备领域,中国厂商仍处于弱势地位,三星、东芝、闪迪、海力士等存储器芯片巨头厂商仍具有压倒性优势。

制造领域

在半导体产业向中国转移的大趋势下,国际大厂纷纷在大陆地区设厂或增大中国大陆建厂规模。据SEMI数据显示,近四年来全球投产晶圆厂超60座,其中26座位于中国大陆,占全球晶圆厂比例超40%。

制造业是集成电路的核心环节,制造环节向大陆的迁移直接促进中国存储器芯片产业的发展。随着大量晶圆厂在中国的建成,中国存储器芯片将迎来先进制程技术的突破与成熟。

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中国存储器芯片行业竞争格局

当前中国基本实现NOR Flash芯片的进口替代,但在DRAM、NAND Flash芯片领域,仍与国际领先水平有不小差距。

中国存储器芯片行业国产替代潜力大

全球存储器芯片市场规模大且竞争激烈,当前中国已基本实现NOR Flash芯片的进口替代,但在DRAM、NAND Flash芯片领先制程领域,仍与国际领先水平有不小差距。

DRAM发展道阻且长

中国大陆是全球DRAM最大市场,但自给率几乎为0。现阶段,半导体产业中心已转移到中国大陆,中国大陆已是全球最大和增速最快的市场,但大陆半导体产业起步晚,自给率仅为15%左右。DRAM作为半导体和存储器最大细分市场,2018年占据全球半导体和存储器总产值的比例分别为22%和58%,中国大陆作为最大市场,销售额全球占比约为43%,但几乎完全依赖进口,自制率远低于半导体全行业水平。

NAND Flash发展初步取得成果

三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年,64层、72层的3D NAND闪存已成业界主力产品,2019年开始量产92层、96层的产品,到2020年,大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下,长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。

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中国存储器芯片行业投资企业推荐

武汉新芯

武汉新芯为存储器芯片龙头企业,专注于NOR Flash与晶圆级XtackingTM技术,是紫光集团旗下核心企业。

主营业务

武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),于2006年在武汉成立,是一家领先的集成电路研发与制造企业。

专注于NOR Flash与晶圆级XtackingTM技术,致力于为全球客户提供高品质的创新产品及技术服务。

作为紫光集团旗下核心企业,武汉新芯将整合集团和产业链合作伙伴的资源,并充分利用自身优势,努力为其全球客户提供高性能、高可靠性、低功耗、高性价比的产品和解决方案。

公司产品

•NOR FALSH代工

武汉新芯自2008年开始向客户提供专业的300MM晶圆代工服务,在NOR Flash领域已经积累了十多年的制造经验,是中国乃至世界领先的NOR Flash晶圆制造商之一。

•XtackingTM

武汉新芯自主研发、国际先进的晶圆级三维集成技术平台XtackingTM。公司是国内首家采用硅通孔技术(TSV)来生产图像传感器的制造商,已积累了多年的大规模量产经验,产品集高性能、低功耗、高集成度的优点于一体,广泛应用于中国智能手机市场。

投资亮点

技术领先

XtackingTM技术平台已推出硅通孔技术(TSV)、混合键合( Hybrid Bonding)和多片晶圆堆叠技术(Multi-Wafer Stacking),为客户提供极具灵活性和创新性的晶圆级三维集成技术解决方案。

质量可靠

武汉新芯一直严格遵守质量管控和环境、安全、健康管理体系,并获得如汽车行业质量管理体系IATF16949、质量管理体系ISO9001等国际体系认证。

战略定位

进口替代

武汉新芯建设的12英寸芯片项目在2008年正式投产,产品良率达到世界领先水平,结束了中国中部无“芯”的历史。在NOR Flash领域,武汉新芯达到世界领先水平。

IDM

2017年武汉新芯开始聚焦IDM发展战略,发布了集产品设计、晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌,致力于开发高性价比的SPI NOR Flash产品

长江存储

长江存储是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司,致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

企业概况

长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”),总部位于武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

投资亮点

长江存储进入到3D FLASH领域之前,中国一直没有大规模存储芯片的生产,未来,随着云计算、大数据的发展,人类对数据存储要求是越来越高,三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域,其量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步,把中国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

主营业务

长江存储专注于3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

领先产品

•2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存

•2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产

•目前,长江存储正跨越96层制程弯道追赶国际领先128层制程

发展战略

•长江存储实行纵向一体化的经营模式,具备识别客户需求、进行产品设计、准备原辅材料、封测、销售及持续服务全产业链经营能力。

可基于客户需求实现定制化芯片制造

长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高存储密度。

•创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长鑫存储

长鑫存储专业从事DRAM存储器芯片的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。

企业简介

合肥长鑫存储技术有限公司(以下简称“长鑫存储”),事业开始于2016年。长鑫存储专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网等领域,市场需求巨大并持续增长

产品介绍

长鑫存储的8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片已经投片,相较于上一代DDR3内存芯片,DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储自主研发的DDR4内存芯片满足市场主流需求,可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。

高速数据传输
多领域应用支持
可靠性保障
主流市场需求匹配
多产品组合

战略定位

12寸晶圆制造

母公司兆易创新宣布与合肥市产业投资控股集团签署合作协议,以长鑫存储为载体研发19纳米制程的12寸晶圆DRAM,总预算为人民币180亿元。

国产替代

预计将在全球DRAM市场占得约8%的市场份额

填补国产DRAM存储器在本国市场的空白

投资亮点

自主研发

长鑫存储聚集了集成电路行业的领袖,研发、设计及制造的专家,以及国际化的经营管理团队,不断创新,积极培养本地优秀人才,是具有尖端技术开发能力和工艺制造能力的“中国创造”模范企业。

技术领先

长鑫存储也是全球第四家DRAM产品采用20纳米以下工艺的厂商。另外三家是目前DRAM存储的三大巨头,三星、SK海力士、美光。这三家的DRAM全球市占率超过95%。

参考文献来自:头豹、驭势资本研究所

END

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