赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为524,288×8位，可使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI与具有相同引脚输出的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优越写入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相关技术支持。
8引脚TDFN引脚排列
与串行闪存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。CY15B104Q-LHXI能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。
这些功能使CY15B104Q-LHXI非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集（可能是关键的写周期数）到要求苛刻的工业控制，在这些情况下，串行闪存或EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失。
CY15B104Q-LHXI为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的好处，可以作为硬件的替代产品。CY15B104Q-LHXI铁电存储器使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，该ID允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
记忆体架构
当访问CY15B104Q-LHXI时，用户寻址每个8个数据位的512K单元。这八个数据位被串行移入或移出。使用SPI协议访问地址，该协议包括一个芯片选择（允许总线上有多个设备），一个操作码和一个三字节地址。地址范围的高5位是“无关”值。19位的完整地址唯一地指定每个字节地址。
CY15B104Q-LHXI FRAM的大多数功能要么由SPI接口控制，要么由板载电路处理。存储器操作的访问时间基本上为零，超出了串行协议所需的时间。也就是说，以SPI总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或EEPROM不同，由于以总线速度进行写操作，因此无需轮询设备是否处于就绪状态。到可以将新的总线事务转移到设备中时，写操作就完成了。界面部分将对此进行详细说明。
串行外设接口（SPI）总线
CY15B104Q-LHXI是SPI从设备，工作速度高达40MHz。该高速串行总线提供了与SPI主设备的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具有允许直接接口的硬件SPI端口。对于不使用微控制器的普通端口引脚，使用普通端口引脚来模拟端口很简单。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。
