FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
FM25V10-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上被组织为131,072×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25V10-GTR与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优越写入性能，高耐用性和低功耗。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V10-GTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25V10-GTR能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。
这些功能使FM25V10-GTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到苛刻的工业控制，而串行闪存或EEPROM的较长写入时间会导致数据丢失。
FM25V10-GTR作为串行EEPROM或闪存的用户，可作为硬件的替代品而获得实质性好处。FM25V10-GTR使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。FM25VN10提供了唯一的序列号，该序列号是只读的，可用于识别电路板或系统。两种设备都包含一个只读的设备ID，主机可以通过该ID来确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
耐力
FM25V10-GTR器件至少可以被访问1014次，可以进行读取或写入。 FeRAM存储器具有读取和还原机制。因此，对于存储阵列的每次访问（读取或写入），将按行施加耐久周期。 FRAM体系结构基于每个64位的16K行的行和列的阵列。整个行在内部访问一次，无论是读取还是写入一个字节或全部八个字节。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。下图显示了一个64字节重复循环的耐久性计算，该循环包括一个操作码，一个起始地址和一个顺序的64字节数据流。这将导致每个字节在整个循环中经历一个持久周期。即使在40 MHz时钟速率下，FRAM的读写持久性实际上也是无限的。
记忆操作
SPI接口具有高时钟频率，彰显了FRAM技术的快速写入能力。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V10-GTR可以以总线速度执行顺序写入。不需要页面寄存器，并且可以执行任何数量的顺序写入。
唯一序列号（仅FM25VN10）
FM25VN10器件包含一个只读的8字节序列号。它可以用来唯一地标识电路板或系统。序列号包括一个40位唯一编号，一个8位CRC和一个16位编号，可以根据客户的要求进行定义。如果不要求客户特定号码，则16位客户标识符为0x0000。
通过发出SNR操作码（C3h）来读取序列号。 8位CRC值可用于与控制器计算出的值进行比较。如果两个值匹配，则说明从站和主站之间的通信没有错误。该函数用于计算CRC值。为了执行计算，将7个字节的数据按照从该部分读取的顺序填充到内存缓冲区中，即字节7，字节6，字节5，字节4，字节3，字节2，字节1。序列号。计算是对7个字节执行的，结果应与8字节CRC值字节0的最后一个字节相匹配。
