MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术。
MRAM或磁性随机存取存储器使用1个晶体管–1个磁性隧道结(1T-1MTJ)架构，将铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元件。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是会随着时间“泄漏”的电荷），因此MRAM提供了非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（写入周期）是磁隧道结(MTJ)上方和下方导线中脉冲电流的结果。来自电流脉冲的相关H场改变了铁磁材料自由层的极化。
这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩会改变MTJ的阻抗。阻抗的这种变化代表数据的状态（“1”或“0”）。感测（读取周期）是通过测量MTJ的阻抗来完成的。MRAM设备中的读取周期是非破坏性的且相对较快(35ns)。读取操作是通过MTJ上的极低电压完成的，支持在部件生命周期内无限操作。Everspin代理英尚微介绍一款AEC-Q1001级非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR
MR25H10MDFR是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，组织为131,072个8位字。MR25H10MDFR提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10MDFR是理想的存储器解决方案。
MR25H10MDFR采用5mmx6mm 8引脚DFN封装DFN Small Flag封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。MR25H10MDFR在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。
特性
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8针DFN Small Flag RoHS兼容
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项
