“持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术。首创的MRAM将数据位存储为存储单元中电阻的变化，这是通过将某些特殊材料暴露在磁场中而产生的。FRAM与MRAM有很大不同：它在铁电材料中将位存储为固定电位（电压）。下面介绍一款可替代FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF。
MR25H256ACDF是一种串行MRAM，其存储器阵列逻辑组织为32Kx8，使用串行外围接口的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口(SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和运行功率以及更可靠的数据保留。
特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN Small Flag RoHS合规性封装。
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3
Everspin Technologies,Inc是设计制造和商业运输分立和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的翘楚，面向数据持久性和应用程序的市场和应用。完整性、低延迟和安全性至关重要。Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为MRAM 用户奠定了最强大、增长最快的基础。
