【嘉勤点评】TCL华星的MLED专利，通过在栅绝缘层内增设一补偿绝缘层，并改变补偿绝缘层中的氮硅比值，提高了栅绝缘层的抗静电击穿能，缓解了现有MLED显示面板存在栅绝缘层抗静电击穿能力较弱的技术问题。
集微网消息，据悉，TCL华星对Mini-LED显示技术一直有着极高关注度并积极布局产品的研发革新，早在2019年便全球首发了基于Mini-LED on TFT的MLED星曜产品，其研发投入重点围绕Mini LED、Micro LED等新型显示技术开发。
MLED显示面板包括Mini LED显示面板和Micro-LED显示面板，由于Mini LED/Micro-LED背板为阵列单板，上面有很多交叉走线，制程中这些交叠走线处易发生静电击穿。且受限于TFT器件的结构，栅绝缘层无法进一步加厚，导致MLED显示面板无法通过加厚栅绝缘层去改善静电击穿。因此，现有MLED显示面板存在栅绝缘层抗静电击穿能力较弱的技术问题，需要改进。
为此，TCL华星于2021年5月10日申请了一项名为“MLED显示面板及其制备方法”的发明专利（申请号: 202110504657.1），申请人为TCL华星光电技术有限公司。
图1 MLED显示面板截面示意图
图1为本申请提供的MLED显示面板的截面示意图，包括衬底10、间隔设置在衬底上的发光器件20和TFT器件30，TFT器件又包括衬底上方的栅绝缘层40，栅绝缘层包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一子绝缘层401、第二子绝缘层402、第三子绝缘层403，栅绝缘层还包括补偿绝缘层404，其中氮原子数量与硅原子数量的比值至少大于子绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值。
通过在栅绝缘层内增设一补偿绝缘层，改变补偿绝缘层中的氮硅比值，使补偿绝缘层的抗静电击穿能力大于栅绝缘层的其他膜层，进而提高栅绝缘层的抗静电击穿能力。补偿绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值至少大于栅绝缘层中任一膜层的氮原子数量与硅原子数量的比值。栅绝缘层的总厚度可以保持不变，将子绝缘层中的部分膜层厚度降低，降低的厚度为补偿绝缘层的厚度。
TFT器件还包括栅极50、有源层60、欧姆接触层70、源极80、漏极90。补偿绝缘层的膜层密度大于第一子绝缘层的膜层密度。膜层密度与沉积膜层的成膜速率相关，成膜速率越慢，膜层的密度越大，致密性越高。通过降低补偿绝缘层的成膜速率，使补偿绝缘层更加致密，通过补偿绝缘层代替第一子绝缘层与下方金属膜层的倒角相接触，避免了现有技术中因第一子绝缘层的膜层致密性不足导致所述倒角处的栅绝缘层出现裂口的技术问题。
简而言之，TCL华星的MLED专利，通过在栅绝缘层内增设一补偿绝缘层，并改变补偿绝缘层中的氮硅比值，提高了栅绝缘层的抗静电击穿能，缓解了现有MLED显示面板存在栅绝缘层抗静电击穿能力较弱的技术问题。
TCL华星是一家专注于半导体显示领域的创新型科技企业，以持续技术创新提升产品力。未来TCL华星将继续扩大规模优势，推进高端化战略，不断优化产线和产品结构，保持行业领先的效率效益优势。
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（校对/holly）
