【嘉勤点评】昆山国显光电发明的AMOLED像素结构及显示装置，基于虚拟等腰梯形的设计方式，使第一子像素发光区与对应过孔的距离等于第三子像素发光区与对应过孔的距离，从而增大第三子像素发光区与对应过孔之间的距离，增加了工艺余裕度，改善了传统AMOLED显示装置中工艺偏差容易使过孔进入相应的子像素发光区的问题，提高了生产良率，具有较好的像素开口设计和较好的使用寿命。
集微网消息，随着高分辨率显示装置越来越广泛的应用，对显示装置的分辨率要求也越来越高。在传统的AMOLED显示装置中，通常采用三个子像素（R子像素、G子像素、B子像素）来构成一个像素。同时，各子像素的阳极分别通过平坦层中的过孔与对应的薄膜晶体管电连接。其中，过孔通常以阵列的方式排布，且均位于各自对应的子像素非发光区的相同位置。
然而，在传统的AMOLED显示装置中，由于B子像素发光区的面积较大，从而使得B子像素发光区与过孔的距离非常近，因此工艺偏差容易使过孔进入相应的B子像素发光区，从而影响显示效果，造成不良；或者为了避开此问题而减小像素发光面积，从而限制了像素的开口设计，影响寿命。
为解决上述问题，昆山国显光电有限公司在2016年9月29日申请了一项名为“AMOLED像素结构及显示装置”的发明专利（申请号：201610864401.0），该专利目前处于授权后生效状态，授权公告日为2020年4月7日。
根据该专利公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。
如上图所示，是该专利保护的一种AMOLED像素结构。该AMOLED像素结构包括若干第一子像素、第二子像素及第三子像素。其中，第一子像素、第二子像素及第三子像素分别以矩阵的形式排列。第三子像素为B子像素，第一子像素、第二子像素可以为R子像素或G子像素。任一第二子像素周围均设有若干第一子像素及第三子像素。同时，各子像素的阳极分别通过平坦层中的过孔（150）与对应的薄膜晶体管电连接，从而通过薄膜晶体管来驱动各子像素。
过孔（150）位于各子像素非发光区中的相同位置，所有过孔排列构成第一阵列。第二子像素发光区（110）、第一子像素发光区（120）和第三子像素发光区（130）的形状均为菱形。位于第二子像素发光区（110）周围的两个第一子像素发光区（120）和两个第三子像素发光区（130）的中心连线构成虚拟等腰梯形（140）。
也就是说，对于任一第二子像素发光区（110）来说，其周围任意相邻的两个子像素发光区（120或130）的中心均连接从而构成的图形为虚拟等腰梯形（140）。第二子像素发光区（110）的中心位于其周围两个第一子像素发光区（120）的中心连线的中垂线和周围两个第三子像素发光区（130）的中心连线的中垂线的交点处。
如上图所示，不同的第二子像素发光区（110）分别位于不同的虚拟等腰梯形（140）内。虚拟等腰梯形（140）的两个顶点分别与两个第一子像素发光区（120）的中心重合。基于上述虚拟等腰梯形的设计方式，可以使第一子像素发光区（120）与对应过孔（150）的距离等于第三子像素发光区（130）与对应过孔（150）的距离，从而可以增大第三子像素发光区（130）与对应过孔（150）之间的距离，增加了工艺余裕度（margin）。如此，相比传统AMOLED显示装置中工艺偏差容易使过孔进入相应的B子像素发光区的问题，本专利改善了上述问题，提高了生产良率，也避免了为避开此问题而减小像素发光面积，从而限制了像素的开口设计，影响寿命。
如上图所示，是该专利保护的AMOLED像素结构的另一种方案。
可以看到，这篇专利是2016年申请的，而那个时候使用AMOLED屏幕还没普及。由此可见，昆山国显光电对于AMOLED技术的研发并非跟风，而是很早就开始了自主创新研发，并且进行专利布局。
此外，虽然这篇专利是关于像素结构的，但是从目前市场上量产机型采用该专利技术来看，相信专利权人具有对基于这种像素排布设计的OLED阵列、器件、驱动算法等技术的完整积累，并且良率有保证，才能将“专利”转化成真正可以量产的解决方案。
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（校对/holly）
