【嘉勤点评】拓荆科技的半导体薄膜沉积专利，通过晶圆升降机构的设置，能够调整待加工晶圆与加热盘和喷淋板的同轴度，保证三者同心设置，从而提高薄膜沉积的质量。
集微网消息，全球半导体薄膜沉积设备市场规模高速增长，近年来国产薄膜沉积设备厂商正在积极布局，目前国内半导体薄膜沉积设备的公司主要有北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等。
对于半导体薄膜沉积设备，目前产能较高且应用广泛的产品为直径300毫米的硅晶圆衬底，对于直径300毫米的晶圆的沉积，薄膜沉积设备中与晶圆直接或间接接触的零部件通常设置为圆形，能够使晶圆表面沉积的薄膜比较均匀，且真空腔体内部体积相对最小。然而晶圆与这些圆形部件的同心情况或平行位置，会极大影响到薄膜沉积的质量。
为此，拓荆科技于2020年6月24日申请了一项名为“半导体薄膜的沉积设备和沉积方法”的发明专利（申请号: 202010584724.0），申请人为拓荆科技股份有限公司。
图1 半导体薄膜沉积设备示意图
图1为半导体薄膜沉积设备示意图，沉积设备包括腔体1和腔体上方的盖板2，腔体的中心处有加热盘3，加热盘通过支撑杆9支撑，还包括腔体内部的晶圆升降机构，外部的水平调节机构。其中，晶圆升降机构又包括：腔体内的同心定位盘4，位于加热盘的下方，其尺寸与腔体的尺寸相匹配。同心调整手5，通过板簧23设置于同心定位盘的边缘上，与其活动连接，包括平行设置的第一横板和第二横板，以及连接横板的竖板，加热盘位于第一横板和第二横板之间。加热盘和第二横板之间有顶针支板7，其上均匀设有多个顶针。顶针支板的下方有蓝宝石玻璃21。还包括动力单元8，通过支杆与顶针支板连接，支杆贯穿腔体。
图2 半导体薄膜沉积方法流程图
图2为半导体薄膜沉积方法流程图，该方法主要包括如下步骤：首先将待加工晶圆传入腔体内，调整待加工晶圆的位置，使待加工晶圆与加热盘同心放置；然后吸附待加工晶圆，开始薄膜沉积，并在沉积过程中根据需要调整加热盘位置，使加热盘能够与喷淋板处于任意角度；薄膜沉积结束后，加热盘恢复至初始位置，松开待加工晶圆；最后调整待加工晶圆的位置，使待加工晶圆与加热盘同心放置，待加工晶圆传出腔体。
具体的，通过晶圆升降机构调整待加工晶圆的位置，使待加工晶圆与加热盘同心放置。通过吸附机构吸附待加工晶圆。通过水平调节机构能够调整加热盘位置，使加热盘能够与喷淋板处于任意角度。可以根据待加工晶圆各区域薄膜沉积情况，通过水平调节机构调整加热盘的位置，使加热盘能够与喷淋板处于调节范围内的任意角度设置，使薄膜沉积效果更加均匀，来达到更好的沉积效果。
简而言之，拓荆科技的半导体薄膜沉积专利，通过晶圆升降机构的设置，能够调整待加工晶圆与加热盘和喷淋板的同轴度，保证三者同心设置，从而提高薄膜沉积的质量。
拓荆科技是国内产业化应用集成电路PECVD、SACVD 等薄膜沉积设备的厂商。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，拓荆科技将迎来新的发展契机。
