本文内容来自SNIA webcast 《Emerging Memories Branch Out》的演讲资料。来源视频（油管，在墙外）链接网站为 https://www.snia.org/educational-library/emerging-memories-branch-out-2024
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我最早撰写这几个技术方向的东西，是在《从技术到应用：揭开3D XPoint Memory迷雾》一文中，8年时间过得好快啊，Optane傲腾都已经被放弃了。
- MRAM磁性内存这条线，之前我只了解到STT，后来又发展出OST、PST和SOT；
- PCM相变内存，估计短时间几年内还难有能媲美Intel Optane的东西出来；
- FeRAM铁电内存，我研究较少就不班门弄斧了；
- ReRAM电阻式内存，讲的故事是存内计算（In Memory Computing），但在前些年HP放弃这条线之后，没看到能大量实用的产品出来。
FRAM的密度，Micron展示过32Gb（4GB）的NVDRAM芯片；SK hynix在2021年基于DRAM的设计搞了8Gb（1GB）FRAM。
上图想表达的意思应该是：闪存在23nm以下，不再因制程改进而获得相对成本的降低（注：现在的NAND主要靠堆更多层数来提高密度）。这样未来新兴内存就有可能超过它。
上图只是一个预测。按照年度出货容量（PB）来看，NAND比DRAM增长应该会快一些，MRAM可能增长更快。到2033年，MRAM出货量能达到只比DRAM差一个数量级吗？
CXL带来的影响。
SNIA还预告了今年2个相关的技术会议：3月底的MemCom，还有5月的《SNIA Compute+Memory+Storage Summit》。其中后者我也关注有年头了。以下是我往年的撰文和资料分享。
《SNIA Compute+Memory+Storage 2023峰会资料》
《CXL、GenZ、CCIX架构以及未来的PM、内存和SSD形态》
《PM Summit 2020持久化内存峰会：Optane、XL-Flash真实应用对比》
作者：唐僧 huangliang
原文：企业存储技术
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