新兴内存的4个分支

本文内容来自SNIA webcast 《Emerging Memories Branch Out》的演讲资料。来源视频(油管,在墙外)链接网站为 https://www.snia.org/educational-library/emerging-memories-branch-out-2024

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注:本文中图片点开后可放大查看

我最早撰写这几个技术方向的东西,是在《从技术到应用:揭开3D XPoint Memory迷雾》一文中,8年时间过得好快啊,Optane傲腾都已经被放弃了。

  • MRAM磁性内存这条线,之前我只了解到STT,后来又发展出OST、PST和SOT;
  • PCM相变内存,估计短时间几年内还难有能媲美Intel Optane的东西出来;
  • FeRAM铁电内存,我研究较少就不班门弄斧了;
  • ReRAM电阻式内存,讲的故事是存内计算(In Memory Computing),但在前些年HP放弃这条线之后,没看到能大量实用的产品出来。

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FRAM的密度,Micron展示过32Gb(4GB)的NVDRAM芯片;SK hynix在2021年基于DRAM的设计搞了8Gb(1GB)FRAM。

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上图想表达的意思应该是:闪存在23nm以下,不再因制程改进而获得相对成本的降低(注:现在的NAND主要靠堆更多层数来提高密度)。这样未来新兴内存就有可能超过它。

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上图只是一个预测。按照年度出货容量(PB)来看,NAND比DRAM增长应该会快一些,MRAM可能增长更快。到2033年,MRAM出货量能达到只比DRAM差一个数量级吗?

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CXL带来的影响。

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SNIA还预告了今年2个相关的技术会议:3月底的MemCom,还有5月的《SNIA Compute+Memory+Storage Summit》。其中后者我也关注有年头了。以下是我往年的撰文和资料分享。

《SNIA Compute+Memory+Storage 2023峰会资料》

《SNIA持久内存+计算存储2022峰会资料分享》

《CXL、GenZ、CCIX架构以及未来的PM、内存和SSD形态》

《PM Summit 2020持久化内存峰会:Optane、XL-Flash真实应用对比》

《PM Summit 2019持久化内存峰会资料下载》

《SNIA持久化内存峰会:虚拟机、数据库、SDS进展曝光》

作者:唐僧 huangliang
原文:企业存储技术

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