自从开启《企业存储技术》这个公众号以来，我写了不少PCIe SSD闪存组件的东西，这次也来写一篇闪存系统方面的。
应该有不少同行朋友听说了，今年的Facebook OCP峰会上有一家中国公司做了演讲，主题为“the ALL-FLASH Software Defined Storage for CLOUD”——所指的产品就是NetBRIC S5。
软件定义这个词，似乎总是和x86标准化硬件放在一起谈论，NetBRIC S5却严重淡化了CPU，而是大量使用FPGA。有点像Memblaze想在Device-based PCI闪存卡上将FPGA发挥到极致，NetBRIC搞的是一个更大的工程。
本文的目的，是希望读者能够比较全面地了解NetBRIC S5，也会简单讨论另外几款全闪存阵列的特点。还是那句话：一家之言仅供参考，水平有限欢迎批评指正！
针对云计算和互连网 只为性能和QoS的架构
在一个3U 19英寸机箱内，放480TB裸容量闪存、16个40GbE网口，最大800万8KB随机读写IOPS，而且延时只有100μs，数字确实可观。
NetBRIC S5针对的是云计算和互联网行业，因此除了性能和密度，强调的就是QoS（可以理解为资源隔离和资源分配），包括针对虚拟机/租户来设置。至于快照和复制等那些传统磁盘阵列标配的高级数据保护功能，并不是它的核心功能（注）。所谓Scale-out，是通过S5软件在主机端识别多个S5设备，实现横向扩展。
注1__：NetBRIC__表示也提供高级数据保护功能，但是是借助于现有的开源技术，并不是他们研发的主要投入。
笔者尝试先抛出几个问题：
NetBRIC S5的硬件上有没有完全的冗余设计？即每种组件都不存在单点故障？是否支持热更换？
从上图来看，电源模块是2+1冗余，风扇有2排应该可以从上面拔出，当然这只是些没有逻辑的支持组件了。
接下来，随着更多资料的列出，我还会抛出更多的问题并逐一解答。
NetBRIC S5抛弃了上图中的传统Flash存储系统架构。这里描述了I/O路径的问题，即网络接口进来的数据，需要先经过PCIe Switch流进CPU控制的内存，然后再次经过PCIe Switch写入到存储介质；如果读操作就是这个路径反过来。此时CPU容易成为性能瓶颈，前提一方面是闪存足够快，同时CPU可能还要运行RAID保护、重删、压缩等数据服务，如果提供QoS也要由在CPU上运行的存储软件来处理。
再来看看“经过一些改进的架构”——利用PCIe MultiCast（多播）来将CPU从数据流中释放出来，我理解是PCIe Switch可以为2个目标设置同样的地址，一个数据包过来CPU和存储介质上的DRAM（缓存）同时收到。这个应该只对写入有效，读的时候还是要经过CPU的。
该方案的限制，一方面是PCIe Switch——现在我了解到的单芯片最大信道数量是96，而当前的企业级PCIe/NVMe SSD基本都是x4接口（PCIe1.0/2.0时还有x8的）。还有就是数据路径中没有了数据处理支持，比如重删、压缩、全局FTL，CPU控制的内存也无法用于写缓存了。
NetBRIC还提出一个观点：“SATA/SAS不是针对FLASH（设计的），PCIe也是如此”。也就是说他们没有使用PCIe了？目的是什么呢？
上图来自我的朋友@刘爱贵 的ppt《闪存技术与应用方法》，传统存储厂商要做一个双控闪存阵列比较容易想到的硬件架构，像Memblaze等也许会考虑这样搞吧：）（我瞎猜的）
基于PCIe Flash搞全闪存阵列，我在《破解PCIe SSD进化：从踩坑到解决方案》一文中曾经简单讨论过，有兴趣的朋友可以参考下。
在NVMe盘支持双端口之前，上图要想实现高可用只能在绿色SSD和红色SSD之间做镜像（如RAID 10）了。
在NetBRIC的“ExpressQ”架构中，从数据路径中消除了CPU以避免其成为IOPS瓶颈，CPU在这里只负责提供管理接口；QoS是由“基于ASIC的优先级队列”来实现（在NIC板卡的FPGA芯片上）；消除PCIe Fabric以达成高闪存密度。
这时我想起SanDisk的InfiniFlash闪存JBOD使用了SAS Flash模块互连，同样高密度，但性能只有78万IOPS。不知道价格上是否有竞争力？
既然Switch和DRAM做在一块PCB上，有朋友问了怎样做写缓存掉电保护？回答是和EMC XtremIO一样——靠外部的UPS。
从这张图可以看出，左边的网络控制（NIC）板一共是4块四端口40GbE网卡，除了基本的主机连接功能之外，还提供ToE卸载、指令处理和QoS控制。也就是说，NetBRIC利用芯片上的资源做了更多的事情。
中间30个带有DRAM的Switch Fabric（Switch+DRAM）板，处理缓存、重复数据删除、压缩和闪存的FTL等；右边是60个8TB NAND闪存板，数据存放介质。也就是说，NAND闪存板应该不做FTL而是直接把comman dqueue形式的block读写接口暴露给Switch Fabric板。
回到本文开头提到的性能数字，平摊到每个网卡上就是200万IOPS。当几年前我看到Broadcom推出一款4端口10GbE控制器时，宣称的性能是200万IOPS，不过那很可能是512byte测试出的极限性能。NetBRIC还要用网卡上的FPGA干更多活，所以实测性能也不低了。
NetBRIC S5的40GbE主机接口跑的是iSCSI协议吗？答案是否定的，因为效率不够高。他们使用了类似AoE（ATA over Ethernet）的私有协议，这样就需要安装客户端驱动来访问。据了解目前提供的驱动包括主流版本Linux和KVM支持，由于面向云计算客户，OpenStack Cinder Volume Driver正在开发中，未来还考虑做VMware ESXi的驱动。
就着这个图谈谈组件的热插拔：Switch Fabric板和NAND闪存板物理和电气上应该都不难实现，只要是在打开机箱上盖的情况下；网络控制板可能麻烦点，因为还有一颗螺丝固定。尽管看上去它可能是通过PCIe物理兼容的连接器插在底板上，但整个设备内应该没有标准PCIe连接，因为对于搞芯片设计出身的周文和他的团队来说，PCIe显得厚重了，有更加简单高效的办法，而FPGA也提供这样的灵活性。
上面这张图，我在《OCP开源硬件1：以太网硬盘&存储密度》整理的ppt中曾经列出过，右边的Open I/O标准，就是用AoE原生驱动来访问以太网接口的硬盘。国外的存储系统厂商Coraid是AoE的推动者，由于不需要像iSCSI那样在IP上面跑SCSI协议，在以太网存储网络方面的性能表现更好。
上图中的绿色和黄色部分，均代表在一个板卡组件上实现的不同逻辑功能，Switch Fabric在这里指的是跨板卡互连部分。代号RocketGE的增强NIC与代号TurboX的Switch+DRAM板之间是点对点的连接，而每个Switch+DRAM向后有2个闪存通道连接MegaNAND闪存。
我还是再画一个图吧。
根据自己理解绘制的NetBRIC S5架构图（不含管理CPU）
这个看上去是不是更清晰点？4个NIC与30个Switch+DRAM板之间是点对点连接，每个Switch+DRAM连接2个闪存板（共60个）。
首先，NIC与每一个Switch+DRAM之间的带宽应该不是特别大，但可以并行读写，所以负载能够平衡到每一个闪存板。
NIC在这里有点存储系统控制器的地位，为什么这样说呢？因为数据操作没有CPU参与，“网卡”要做的事情更多了。据了解，像链路聚合和负载这些只能在一块NIC板卡的4个40GbE端口之间实现。因为NIC卡本身是无状态的（没有缓存），技术上一个块设备（LUN）可以同时通过多个NIC卡映射给主机，但是因为设备本身不保证同一时间通过多个NIC卡写数据时的一致性，所以不建议这么用。
当有NIC板卡故障时，有点像是控制器的切换，这个我记得可以通过网络层（SDN）高级功能来配合；如果没有SDN，S5-client也会检测网络状态，根据网络情况进行目标NIC切换。
接着是Switch+DRAM板的单点故障情况，这意味着后面连接的2个闪存板都不可用了。NetBRIC表示采用了多副本（我理解是双副本）的机制来预防Switch+DRAM板和闪存板的故障，结合上重删和压缩一起考虑，宣称的可用容量为裸容量的1.5倍（典型情况）。那么这里至少要有一个伪随机或者Hash的算法，每个闪存板上的数据打散镜像到其它Switch+DRAM连接的闪存板上。
在4个NIC板之间，还有30个Switch+DRAM板之间，从有限的资料来看好像没有数据通道，也就是说重复数据删除等都是每个Switch+DRAM板局部在做？那么这样的数据缩减效果肯定没有EMC XtremIO的全局重删好，不过也没有了网络等方面的开销，这个到后面我会再拿图来讨论。
简析FlashSystem、Violin和XtremIO架构
接下来我们再来看看IBM FlashSystem（TMS）和Violin Memory全闪存阵列的硬件架构，各有哪些特点，NetBRIC与它们有哪些异同。
FlashSystem同样使用了大量的FPGA，从双控核心RAID X-Bar Controller到闪存模块上的Flash Gateway，再到每一颗闪存控制器… 从这个详细的架构图来看，它的主机接口模块稍显复杂，分为Interface Control和Interface Adapter两个部分。NetBRIC相当于用NIC板卡实现了主机接口和RAID X-Bar Controller两块的功能，还有QoS。当然，多副本应该要比闪存模块之间的RAID 5算法简单。
而在对应Flash Gateway的位置，NetBRIC的Switch+DRAM板还实现了缓存、重复数据删除、压缩和闪存的FTL等功能。IBM为FlashSystem增加高级软件特性的方案是配置SVC网关，这样会带来性能的损失。
无论从TMS这家老牌半导体存储厂商还是IBM来看，双控制器高可用性和可维护性方面，基本上要比NetBRIC完善。因此对于传统企业级数据中心应用而言，FlashSystem应该更加合适。
这张图有点老了，Violin Memory闪存阵列真正的控制器，应该是中间的那个深色的vRAID，它负责底层vFLASH（VIMM）闪存模块的RAID保护。如果是主机直接用PCIe连接就ok了，而FCSAN、iSCSI、FCoE和IB这些接口需要通过vSHARE存储虚拟化网关，为了获得“数据服务”，我记得他们先后与赛门铁克、飞康和DataCore有过合作。
Violin Memory 3000系列需要外置网关，6000系列以“刀片”形式内置了网关但也提供PCIe直连。惠普当年联合销售Violin Memory时推的Oracle数据库方案，就是PCIe直连VMA3210来实现更好的性能。
为了确认我脑子里的东西是不是有些过时，下面找到了最新的架构图看看。
这个图的VCM和Array Control Module之间，用的估计还是PCIe连接，而插在后者上面的HBA卡想来也是PCIe了。在x86阵列控制模块之间有NTB（over PCIe）连接，可以做缓存镜像，感觉比之前的存储虚拟化网关耦合紧一些，本质上变化不是太大。
论单机性能，FlashSystem和Violin Memory能达到100万IOPS左右的水平，比其他国外的Scale-up乃至部分Scale-out全闪存阵列不落下风或者处于同一水平。与以上FPGA定制化方案不同的是，现在市场占有率第一的EMC XtremIO则是x86+SAS SSD标准化硬件的代表。
上图中XtremIO的4台X-Brick（4对控制器）通过InfiniBand RDMA高速网络互连，现在能够做到6台了。我曾看到同行朋友说：“好像单个CPU在线去重每个SSD分到数据量才40MB”（未经笔者证实），这样按25个SSD算只有1000MB/s，另一个CPU还要跑RAID和其它数据服务？
有业内专家表示：“XtremIO的重删在L1 Cache 就做了，写时代价较大，LUN LBA元数据存的强Hash，读要两次查找加分布式的转发。”
上图来自刚刚从EMC网站下载的资料
XtremIO支持丰富的软件功能，全局重删和压缩提高了可用容量；常规的快照和复制保护；听说还有很好的GUI界面易用性。可以想象如果未来从Symmetrix上移植过来的SRDF远程复制等高级特性，就可以更好地替代传统高端阵列了。而这一切的代价是，每个X-Brick的读IOPS只有25万，写IOPS10万（唯一数据）/15万（数据缩减率2:1）。
另外，共享内存元数据量限制了整个Scale-out集群的进一步扩展。为了支持更大的容量，数据切块大小已经从4KB增大到8KB。内存若加大，对用于掉电保护的UPS也会进一步增加要求。
3年前我曾经写过一篇《Fusion-io软件定义存储：全闪存阵列DIY时代？》，上面就是这款ION的架构图，简单到每台服务器插上多块PCIe闪存卡，JBOD或者软RAID 0/10之后对外映射为LUN，并利用DRBD通过40Gb以太网在两台之间同步复制，以为互备。
与ION相比，NetBRIC S5无论硬件设计还是软件的技术含量都要更高了。不过除了数据保护和QoS之外，它相对传统存储阵列的软件功能还是要“轻量级”不少，正因为这一点才实现了如此高的性能。如果用于Cache加速器，对其可靠性的要求也会降低。
总结：NetBRIC S5的机遇和挑战
如果XtremIO没有被EMC收购，料想不会有今天的发展；TMS要是没有抱上IBM的大腿，也许就一蹶不振了；曾经全闪存阵列销量第一的Violin Memory，则因为惠普终止合作推广自家3PAR而下滑明显，IPO也不过是让投资人解套而已。
一位NetBRIC的朋友曾经说，他们的产品有点像中国的Violin Memory（其实也不太像，Violin还是CPU参与IO路径的，并且是基于PCIe Switch）。尽管Violin Memory几乎一直在烧钱没有盈利过，但这与美国的人工成本和各种费用开销高有很大关系。国内的人工成本会低很多，再加上符合OCP风格的台湾代工，还是有的期待。
不支持标准主机连接协议，我觉得是把双刃剑。NetBRIC S5的目标市场，与上面列出的几家传统存储厂商不同，云计算和互联网会更看重性价比，而操作系统支持包括内核版本的广泛性要求要低一些。
NetBRIC第一步瞄准了美国市场，像Facebook这样的大客户几乎曾一手捧红过Fusion-io。当然大客户也会看重品质，所以量产和稳定性是接下来要解决的问题，这一阶段投入的成本不会小，听说资金已经不是问题了。我想对于一家做芯片出身的公司来说，可靠性等各种测试的重要性不言而喻。
五一之后很快就是EMC World大会，应该会宣布DSSD更多的消息。让我们看看有没有新的颠覆性闪存架构出现吧：）
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