导读
您的ASIC设计是否需要最低的漏电和最小的面积?您是否想采用FinFET技术,但又担心昂贵的晶圆成本?台积电22nm工艺提供了一个令人信服的选择。我们看到许多使用28nm、40nm及以上工艺的Arm合作伙伴,现在都迁移到22nm工艺以实现更低的漏电率和更小的面积,从而保持甚至提升所需的性能。
作者:Claudia Pike
阅读直达链接:https://community.arm.com/dev...
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您的ASIC设计是否需要最低的漏电和最小的面积?您是否想采用FinFET技术,但又担心昂贵的晶圆成本?台积电22nm工艺提供了一个令人信服的选择。我们看到许多使用28nm、40nm及以上工艺的Arm合作伙伴,现在都迁移到22nm工艺以实现更低的漏电率和更小的面积,从而保持甚至提升所需的性能。
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