作者：唐僧 huangliang
来源：企业存储技术
早在去年Micron（美光）就透露过X100的新闻，包括下方这块NVMe全高PCIex16 AIC扩展卡照片，以及250万IOPS性能。不过当时并没有说容量和有些细节。
近日我看到这款Intel之外的3D XPoint SSD文档，就给大家简单分享下。
3年100 DWPD与5年60 DWPD哪个好？
“X100”这个命名，看上去来源于其寿命指标——100 DWPD。最初我以为这个数字比IntelDC P4800X/P4801X要高（参见《_[Intel Optane SSD写寿命翻倍：5年60 DWPD](https://aijishu.com/a/1060000...）？》不过仔细研究下，美光的质保是3年，总的写入量其实一样（就像两家商量好了）。Intel的保修期还要多2年。
Micron X100资料里写的容量点只有805G一款，与Intel P4800X的750GB型号较为接近。扩展阅读：《_Intel Optane P4800X评测（序）：不用缓存和电容保护的SSD？》。
单线程IOPS如何跑到220W？
不过得益于PCIe 3.0 x16接口，Micron X100的顺序读/写带宽高达10GB/s和9GB/s，随机读/写IOPS分别为220万和188万。看上去没有之前宣传的250万IOPS高，是因为测试方法是4KB、QD=1、TH=1，这个是不是用了SDPK之类的用户态I/O呢？否则按照传统的经验，Kernel块设备I/O一个CPU核心单线程应该跑不到这么快。
扩展阅读：《_SPDK实战、QoS延时验证：Intel Optane P4800X评测(5)_》
然后就要说美光这份资料的不专业了。耐久度TBW居然只有82 TBW，实际上应该写82 / day（每天写入82TB）。150万小时MTBF似乎有点低，可能是Micron第一次做3D XPoint SSD写的比较保守吧。
3D XPoint Memory最大的优势，除了写性能和寿命之外，就是延时。Micron X100随机读写延时分别为11µs和8µs，与Intel Optane SSD的10微秒左右基本一致。
功耗与容量无关？
再讨论一点就是功耗，Intel P4800X包括1.5TB在内活动功耗只要18W，而Micron X100顺序读/写最大功耗达到了50W和70W。估计一方面可能因为主控技术，另一点就是并发的通道可能远多于Intel当前Optane SSD的7个。毕竟接口不同，功耗就是X100高性能的代价吧，反正不超过PCIe规范里x16插槽的75W供电。
Fio性能测试参考
上面图表引用自Micron Technical Brief，这个是Fio的测试（平台软硬件信息如下），可以看到如果100%随机读在8线程或以上可以超过250万IOPS，而100%随机写也有200万。
参考资料中还有更多性能测试数据：
- 《AccelerateYour Business With 3D XPoint to Meet Demands of Growing Data》
- 《MicronX100 NVMe SSD Product Brief》
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| 文件名 | 大小 | 下载次数 | 操作 |
|---|---|---|---|
| x100_product_brief.pdf | 343.88KB | 2 | 下载 |
| Micron_X100_FIO_tech_brief.pdf | 388.13KB | 2 | 下载 |
