在本系列博客的第一部分，我们介绍了磁随机存取存储器（MRAM）技术，并提出了一个紧凑的模型，用于有效模拟大规模电路中的MRAM单元。
MRAM是一种非易失性存储器（NVM）技术，具有内在的随机性。转化到电路领域，MRAM单元周围的外围应该意识到这种行为，并设计成可靠地写入/读取MRAM单元，以产生低的写入/读取错误率（WER和RER分别）。因此，电路设计依赖于对MRAM单元随机行为的精确建模和仿真。
作者：Fernando García Redondo
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