芯片里起高楼(2)：3D结构引发材料、工艺变革

E企研究院高能存储月，详解3D NAND系列之二：通天梯成就摩天楼

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3D NAND闪存结构的关键是垂直方向上的通道，就像高楼大厦里的电梯。电梯的出现，使摩天楼的层出不穷成为了可能；从平面转向3D结构，帮助CTF（电荷俘获）取代FG（浮栅）成为NAND闪存的主流，相应的，材料和制造工艺也发生了巨大的变化……