在20nm 以下的工艺中，由于相邻 metal wire 的间距太小，使得光刻过程中，相邻的光线间距过小，相互之间发生干涉，导致metal wire 边缘模糊，出现瑕疵。
为了解决这个问题，先进工艺开始采用 double pattern（DPT），也称为double mask，就是将原来的一层 mask 拆分成两层，在每一层 mask 中都不出现最小间距，才能保证制造不出现瑕疵，代价就是制造费用成倍增加，原来只需一层光罩的费用，现在需要两层。
相应地，在芯片物理设计过程中，需要确保每层metal 都可以拆分成两层 mask，如果出现无法拆分的情况，就会报 odd cycle drc。
什么样的情况无法拆分？
如下图所示，在这个区域内有5条metal（奇数条），如果所有相邻的metal 间距都小于DPT规定的最小间距（DPTminSpacing)，就会出现无法拆分的情况
划重点：奇数条metal，相邻间距都小于DPTminSpacing
假设拆分为AD 和BCE，如下图，由于BC 间距小于double pattern规定的最小spacing，无法制造！
可能有人会问，为什么不拆分成ACE 和BD？ 这样BC 之间不就没问题了吗？实际上由于AE 间距也小于double pattern 规定的最小 spacing，也无法制造！（这里要强调这个区域内所有相邻的 metal wire spacing 都小于DBT 规定的最小spacing）
所以这个mask无法拆成两个满足要求的mask，ICC2会检测到这种问题，并且报 odd cycle drc error。
如何解决 odd cycle drc error？
很简单，拉开 spacing 即可，以刚才的图为例，拉开BC 间的 spacing：
这样，可以拆分成AD 和BCE 两组，两组 mask都满足DPT最小 spacing 要求了
怎样快速判断某个区域是否存在 odd cycle drc error？
随机选取一根metal线作为第一根，如果第一根线与第二根线是最小间距，就要检查是否有第三根线与第二根线是最小间距，如果有，接着去找第四根，如果找到第 n 根，且第 n 根与第一根也是最小间距，那么就构成了一个闭合环路，这样一组 metal 就叫做“最小间距环”，这个 n 如果是奇数，那就一定会出现 odd cycle error ！！
顾名思义， odd cycle 就是指这个“奇数环”。ICC2就是先找出这些“ 最小间距环”，然后检查是否是奇数。如果ICC2 检测到“奇数环”，会自动修掉，但是检测难点在于，这个环可能非常大，如果检测窗口不够大，就检测不到，这时候就需要手动介入修掉了。
其它相关：
1). DPT一般应用于低层 metal，比如M2 M3 等，因为先进工艺cell 出pin 更加密集，需要更多的低层绕线资源，低层 metal 方便连接底层 cell pin
2). 采用DPT 的 metal layer 绕线利用率不宜太高，一般默认设定在60% 左右，因为密度越高，出现 odd cycle 的几率越大
3). DPT 的最小spacing 要求一般可以在 tech file 中查到，比如在某厂商10nm工艺中，M2 是DPT layer，其 minSpacing = 0.024u，其DPTminSpacing = 0.072u （side2side），而对于不是DPT 的layer， 其 minSpacing = 0.04u
作者： LYN
原文链接：处芯积律
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