集微网消息，天眼查消息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为8月22日，申请公布号为CN116631854A。
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专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，其可以先在半导体衬底的表面的中间区域上自下而上依次形成衬垫氧化层和第一硬掩膜层，同时暴露出所述半导体衬底的边缘区域所对应的表面，然后，在利用局部氧化工艺，在所述暴露出的所述半导体衬底的边缘区域上形成边缘保护物层（即二氧化硅），之后，在对边缘区域形成有所述二氧化硅的边缘保护物层的半导体衬底进行后续的沟槽刻蚀、清洗等工艺，以通过将半导体衬底的边缘区域（晶边）的硅材料先转变成在后续沟槽刻蚀过程中不会被刻蚀的氧化硅之后，再对其进行刻蚀工艺，从而起到了包含晶圆边缘的硅材料，即减小晶圆边缘的硅材料发生损耗的目的，最终保证了形成的半导体结构的完整性。
