在芯片设计中，NLDM（非线性延迟模型）和CCS（复合电流源模型）是两种重要的时序模型，用于对电路中的标准单元（std cell）进行时序分析。这两种模型在芯片设计领域有着广泛的应用，尤其是在静态时序分析（STA）中发挥着关键作用。
NLDM（非线性延迟模型：non linear delay model）
NLDM是最早被引入的时序模型，主要用于65nm及之前的工艺节点。它通过查找表和插值方法来快速计算单元的延迟，从而大大减少了计算量，提高了工具的运行速度。NLDM模型包括驱动器模型（driver model）和接收器模型（receiver model）。
- 驱动器模型：表征单元输入到输出的延迟值及输出转换时间。它基于三个采样点（延迟阈值、转换阈值）来构建模型，用于描述输出波形的延迟和转换时间。
- 接收器模型：在NLDM中，接收器模型通常被视为一个简单的电容。上升沿和下降沿的电容是不同的。
然而，随着工艺尺寸的减小，金属连线上的电阻增大，NLDM模型的精确度逐渐降低。特别是在高级节点下，米勒效应变得更加明显，单一的电容值无法准确表征真实情况。
CCS（复合电流源模型：Composite Current Source）
为了解决NLDM在高级节点下遇到的问题，Synopsys提出了CCS模型。CCS模型基于电流源模型，集成了时序、功耗和噪声信息，提供了更高的精确度，与SPICE的误差可以达到±2%。
- 驱动器模型：表征流入负载电容的电流值。它使用输入转换时间和输出负载作为参数，能够精确处理高电感负载和非单调波形。
- 接收器模型：为了更精确地反映米勒电容效应，CCS使用两个电容值C1和C2来描述。在不同的电压阈值区间，STA工具会动态选择不同的电容值。
此外，CCS库/数据库中可以同时包含时序、功耗和噪声信息，使得CCS模型在描述真实电路行为方面更为准确和全面。
综上所述，NLDM和CCS都是芯片设计中非常重要的时序模型。NLDM由于其简单性和快速性，在早期工艺节点中得到了广泛应用。然而，随着工艺技术的进步，CCS由于其更高的精确度和对高级节点的适用性，逐渐成为更受欢迎的模型。
参考文章：
https://blog.csdn.net/graymount/article/details/106010388
https://blog.csdn.net/weixin_44726874/article/details/131673777
作者：快乐的芯片工程师
文章来源：快乐的芯片工程师
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