作者：唐僧 huangliang
来源：企业存储技术
一个多月前，记得我还在《VMworld 2020 China _线上大会技术演讲资料分享_》里面吐槽过，今年的SDC（SNIA开发者会议）资料下载居然要收费，不过最近我还是找到了免费下载的办法。
全部演讲资料ppt（pdf）我想晚一些打包分享给大家，争取先借机会写几篇技术文章。
NRAM能否借DDR5 NVRAM崛起？
今天跟大家聊的是上面这个主题《Update on the JEDEC DDR5 NVRAM Specification》，演讲人来自Nantero，也就是那个搞NRAM的公司。
谈到新一代非易失内存（NVRAM）/存储级内存（SCM），ReRAM（忆阻器）、PCM（相变内存）、MRAM（磁性内存）这些新技术，我就想起5年前写的《从技术到应用：揭开3D XPoint Memory__迷雾》。其中提到后来的Intel Optane（傲腾）应该属于PCM。
ReRAM到现在还没动静。MRAM（包括增强的STT-MRAM）密度始终没上去，成本自然也下不来，这几年企业存储中的应用，我只看到IBM在SSD中用128MB MRAM替代了DRAM。
至于NRAM我之前几乎没怎么关注过，这次趁机补补课。
Nantero研发的NRAM使用了碳纳米管（CNTs）技术，读/写延时号称只有5ns，并且属于非易失性存储介质。
如上图，这里列出的NRAM每tile单元为64Kb，通过水平矩阵加上多层达到256Ktiles、16Gb的密度（应该是Die）。如此水平用来替代基于DRAM颗粒的NVDIMM看上去比较合适。
我查了之前的一些宣传，NRAM的性能应该与DRAM接近，寿命远高于NAND和NOR闪存（按道理至少是3D XPoint的水平？），据说成本在量产后为DRAM的一半，但目前工艺应该只达到28nm。
PPT 上的容量何时能做到？
按照这个路线图（如果能实现的话），14nm NRAM的密度能达到28nm的8倍，同时引入8-die堆叠；如果到了7nm工艺密度还能再提高4倍，达到单个Die 256-512Gb的水平；加上16-die堆叠应该就是512GB-1TB的芯片密度，只是不知何时能达到？
问题是，如今成熟的DRAM工艺还在10nm之上，而除了富士通之外，我还没看到哪家DRAM制造商宣传过自己在做NRAM。而富士通显然已经不算半导体存储一线大厂（_20多年前我在中关村还曾接触过Fujitsu内存条_）。
Memory Class Storage（内存级存储）这样的叫法看着有点怪，可能是因为NRAM在容量上画的这个饼太大吧：）单die密度如果真的达到512Gb，每条NRAM DIMM内存条就可以做到16TB，不过Nantero这次的ppt自始至终没有提价格和时间点。
至少NRAM的成本低于3D XPoint是不太可能了，至于性能下面倒是有一点描述。
性能和功耗优势
由于不需要像SDRAM那样耗电刷新等，在相同时钟频率下NRAM还能提高15%的吞吐带宽。Nantero估计认为DDR5是个爆发点，但也没有说当前NRAM能跑到的确切频率。
按照72-bit（ECC）DDR4内存模组来做对比，NRAM不像DRAM在读写刷新和自我刷新时有那么大功耗，因此可以简化电源设计和散热。
NRAM 的应用和商业模式
我试着做了下面这个对比表，如有不足欢迎大家拍砖。
参考资料
https://www.snia.org/sites/de...
FRAM、ReRAM、NRAM三类存储器的特点及应用
https://www.ednchina.com/news...
富士通量产新型内存NRAM性能是DRAM1000倍
https://digi.tech.qq.com/a/20...
推荐阅读
注：本文只代表作者个人观点，与任何组织机构无关，如有错误和不足之处欢迎在留言中批评指正。 进一步交流技术可以加我的微信/QQ：490834312。
尊重知识，转载时请保留全文，并包括本行及如下二维码。感谢您的阅读和支持！《企业存储技术》微信公众号：HL_Storage，也欢迎关注企业存储技术极术专栏，定期更新。
