IC人物志-Intel创世人Robert Norton Noyce（罗伯特·诺伊斯）

很多人对罗伯特·诺伊斯这个名字很陌生，但是你一定不会对“英特尔”这个名字感到陌生。是的，他就是Intel创始人-罗伯特·诺伊斯。

硅谷是传奇人士扎堆之地。但是一个人要想在硅谷同时获得财富、威望和成就，实在比登天还难。举目远眺大概只有罗伯特·诺伊斯才是唯一一位集三位于一体的圣人。（来源：《挑战英特尔——中国IT业第一垄断》）

教育

在《硅谷始祖-仙童半导体浮沉录》中我们介绍了这位传奇人物的中年生活，为了自己的梦想追随了诺贝尔奖获得者威廉·肖克利随后进入仙童，开启了自己丰富的人生，在此之前我们先介绍一下罗伯特·诺伊斯。

诺伊斯于 1927 年 12 月 12 日出生于爱荷华州伯灵顿，是拉尔夫·布鲁斯特·诺伊斯牧师 (Rev. Ralph Brewster Noyce)的四个儿子中的第三个。他的父亲毕业于多恩学院、欧柏林学院和芝加哥神学院，并被提名为罗德奖学金。

他的母亲哈里特·梅·诺顿 (Harriet May Norton) 是公理会牧师米尔顿·J·诺顿 (Rev. Milton J. Norton) 和路易丝·希尔 (Louise Hill) 的女儿。她毕业于欧柏林学院，婚前曾梦想成为一名传教士。记者汤姆沃尔夫将她描述为“一个有指挥意志的聪明女人”。

1940 年夏天，诺伊斯 12 岁那年，他和他的兄弟制造了一架男孩大小的飞机，他们曾经从格林内尔学院马厩的屋顶上飞行。后来他从头开始制作了一台收音机，并通过将螺旋桨和一台旧洗衣机的电机焊接到它的背面来驱动他的雪橇。

诺伊斯在爱荷华州格林内尔长大。在高中时，他就展现了数学和科学方面的天赋，并在高三参加了格林内尔学院大一物理课程。1945年毕业于格林内尔高中，同年秋天进入格林内尔学院。他是 1947 年中西部联盟锦标赛游泳队的明星跳水运动员。在格林内尔学院，诺伊斯唱歌、演奏双簧管并表演。在诺伊斯大三的时候，他因为从格林内尔市长的农场偷了一只 25 磅重的猪，并在学校的烤猪上烤了它而惹上了麻烦. 市长寄给他的父母说：“在爱荷华州的农业州，偷家畜是重罪，最低可判处一年监禁和一美元罚款。” 诺伊斯面临被学校开除的风险，但诺伊斯的物理学教授兼学院院长格兰特·盖尔不想失去一个有潜力的学生。他们与市长妥协，让格林内尔补偿他的猪，并让诺伊斯停学一个学期。他于 1949 年 2 月返回。他毕业于Phi Beta Kappa(Phi Beta Kappa 在美国仅约 10% 的高等教育机构设有分会，并且这些学校的文理学院毕业生中只有约 10% 受邀加入该协会。)，获得物理和数学学士学位1949 年，他还获得了同学们的标志性荣誉：布朗德比奖，该奖项旨在表彰“用最少的工作获得最好成绩的老人”。

当诺伊斯在读本科时，他对物理学领域着迷，并参加了由格兰特·盖尔教授教授的学科课程。Gale 获得了两个由贝尔实验室生产的第一批晶体管，并向他的班级展示了它们。诺伊斯被迷住了。Gale 建议他申请麻省理工学院的物理学博士课程，他做到了。

诺伊斯的头脑如此之快，以至于他的研究生院朋友都称他为“快速的罗伯特”。1953年他从麻省理工学院获得博士学位在物理学。

职业生涯

Philco Corporation & Shockley 半导体实验室

PS:菲尔科（Philco）是电池，无线电和电视生产的先驱。1961年，该公司被福特收购，并于1966年被称为Philco-Ford。

1953 年毕业后，诺伊斯在 Philco 公司找到一份工作，担任研究工程师。诺伊斯不会在那里呆很长时间，1956 年他被招募到肖克利半导体实验室工作。然而，诺伊斯只在那里呆了一年。这家由威廉·肖克利创立的公司一直在努力留住科学家，因为其员工不喜欢肖克利的管理风格。对工作条件感到不安的诺伊斯与“叛徒八人” 一起离开，并共同创立了颇具影响力的仙童半导体公司。根据谢尔曼·费尔柴尔德的说法，诺伊斯对他的愿景的热情展示是费尔柴尔德同意为叛徒八人创建半导体部门的原因。

仙童半导体

诺伊斯的一些最伟大和最有影响力的工作来自他在仙童时代，因为正是在这里，诺伊斯与其他人合作发明了世界上第一个微芯片。他还对各种其他发明和工艺做出了贡献，包括允许大规模生产微芯片的平面工艺。

杰克基尔比发明了第一混合集成电路1958（混合IC），诺伊斯于1959年独立地发明了一种新型集成电路-单片集成电路（单片IC）。它比 Kilby 的实现更实用。Noyce（诺伊斯）的设计由硅制成，而 Kilby（杰克基尔比）的芯片由锗制成。诺伊斯的发明是第一个单片集成电路芯片。与 Kilby 的 IC 有外部线连接且无法量产不同，Noyce 的单片 IC 芯片将所有元件放在一个硅芯片上，并用铜线连接。Noyce 的单片 IC 的基础是平面工艺，由Jean Hoerni于 1959 年初开发。反过来，Hoerni 平面工艺的基础是Mohamed Atalla在 1957 年开发的硅表面钝化和热氧化方法。

1968 年，诺伊斯离开仙童半导体公司，与他的同事戈登摩尔一起成立了英特尔公司。

罗伯特·诺伊斯（左）和戈登·摩尔在英特尔 SC1 大楼前，加利福尼亚州圣克拉拉，1970 年

英特尔公司

诺伊斯和他的同事戈登摩尔是英特尔公司的联合创始人。英特尔（“集成电子”的缩写）成立是为了让半导体芯片的生产更加实惠。

诺伊斯和摩尔在这次冒险中取得了巨大的成功。他们立即获得了风险投资的支持，并能够为他们的公司招募顶尖的工程和计算人才。早在 1969 年（正式成立后不到一年）英特尔就被要求为一家日本公司制造 12 块定制芯片。相反，英特尔创造了一种可以完成所有十二项任务的芯片。

这种商业精神体现了英特尔将创意、工程和计算融为一体的能力。他们继续在微芯片生产方面取得重大进展，创造出更新、更小、更强大的芯片，包括英特尔 4004、8080 等。

诺伊斯和他在英特尔的同事（摩尔和安德鲁·格罗夫）有一个管理战略，在招聘和留住员工方面效果很好。他们以对员工非常积极的待遇、相对自由的工作环境、优厚的薪酬和悠闲的工作文化而闻名。其中大部分将成为当今许多其他硅谷公司管理员工的基础。此外，诺伊斯因拒绝私人飞机和预留停车位等典型的公司福利而受到称赞。

在英特尔，他监督了Ted Hoff发明的微处理器，这是他的第二次革命。

罗伯特·诺伊斯：奖项和成就

单片集成电路

从发明的角度来看，诺伊斯对世界最重要的补充是单片集成电路的发明。

使用 Jean Hoenri 开发的平面工艺，可以复制单片集成电路。结果，它成为世界上占主导地位的微芯片，并用于当时生产的计算机以及阿波罗太空计划。

罗伯特·诺伊斯（中）与他的英特尔联合创始人戈登·摩尔合影

IEEE 荣誉勋章

PS：关于IEEE奖章的介绍，可以查看下面的链接（包括获奖者及原因）：

https://cn.ieee.org/about-award/

诺伊斯于 1978 年被授予 IEEE 荣誉勋章，“因为他对硅集成电路做出了贡献，硅集成电路是现代电子学的基石

法拉第奖章

PS:法拉第奖章是英国工程技术学会（前身为电气工程师学会）每年一次授予个人的科学奖。有资格获得该奖项的是在科学或工业设计或促进科学、工程科学和技术进步的杰出服务方面做出杰出贡献的科学家。该奖项包括一枚铜牌。法拉第奖章于 1922 年首次颁发，以迈克尔·法拉第的名字命名。

法拉第奖章是一项享有盛誉的英国奖项。它由英国工程技术学会授予一系列成就卓著的科学家。诺伊斯于 1979 年获得该奖项。

PS:下列网址罗列了目前获得该奖项的人员。

https://zh.hrvwiki.net/wiki/Faraday\_Medal\_(electrochemistry)

哈罗德·彭德奖

PS：哈罗德·彭德奖是一项美国工程奖，成立于 1972 年。由宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院授予对社会做出杰出贡献的工程专业人士。以美国学者、作家和发明家、宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院首任院长哈罗德·彭德的名字命名。

哈罗德·彭德奖授予对社会做出重大贡献的工程专业人士。它由宾夕法尼亚大学提供。诺伊斯于 1980 年获此殊荣。

美国商业名人堂

美国商业名人堂——现在被称为全球商业名人堂——旨在表彰世界上一些顶级商业领袖。诺伊斯于 1989 年入选名人堂。

约翰弗里茨奖章

约翰弗里茨奖章还有一个享有盛誉的绰号：诺贝尔工程奖。它被称为诺贝尔工程奖，因为它是由美国工程学校协会授予最有影响力和成就的工程师。它已被授予各种非常成功的工程师，包括托马斯爱迪生。诺伊斯于 1989 年获得诺贝尔工程学奖，就在他去世前一年。

罗伯特·诺伊斯：已出版的作品和书籍

虽然有很多关于罗伯特·诺伊斯的书，但没有他真正写过或合作过的书。然而，加利福尼亚在线档案馆提供了大量关于他生活的论文、文件、录像带和卷轴录音带。

罗伯特·诺伊斯：名言警句

“创新就是一切。当您站在最前沿时，您可以看到下一个创新需要是什么。当你落后时，你必须花费你的精力来追赶。”

“不要被历史所拖累，走出去，做一些美好的事情。”

专利

他最终以自己的名义积累了 16 项专利。

美国专利 2,875,141 用于形成半导体结构的方法和装置，1954 年 8 月提交，1959 年 2 月授权，转让给 Philco Corporation
美国专利 2,929,753 晶体管结构和方法，1957 年 4 月提交，1960 年 3 月授权，转让给贝克曼仪器公司
美国专利 2,959,681 半导体扫描设备，1959 年 6 月提交，1960 年 11 月授权，转让给飞兆半导体
美国专利 2,968,750 晶体管结构及其制造方法， 1957 年 3 月提交，1961 年 1 月授权，转让给 Clevite Corporation
美国专利 2,971,139 半导体开关器件，1959 年 6 月提交，1961 年 2 月颁发，转让给飞兆半导体
美国专利 2,981,877 半导体器件和引线结构，1959 年 7 月提交，1961 年 4 月颁发，转让给飞兆半导体
美国专利 3,010,033 场效应晶体管，1958 年 1 月提交，1961 年 11 月授权，转让给 Clevite Corporation
美国专利 3,098,160 场控雪崩半导体器件，1958 年 2 月提交，1963 年 7 月授权，转让给 Clevite Corporation
美国专利 3,108,359 晶体管制造方法，1959 年 6 月提交，1963 年 10 月授权，转让给 Fairchild Camera and Instrument Corp。
美国专利 3,111,590 由雪崩势垒控制的晶体管结构，1958 年 6 月提交，1963 年 11 月颁发，转让给 Clevite Corporation
美国专利 3,140,206 制造晶体管结构的方法（共同发明人 William Shockley），1957 年 4 月提交，1964 年 7 月颁发，转让给 Clevite Corporation
美国专利 3,150,299 具有隔离装置的半导体电路复合体， 1959 年 9 月提交，1964 年 9 月发布，转让给 Fairchild Camera and Instrument Corp。
美国专利 3,183,129 形成半导体的方法， 1963 年 7 月提交，1965 年 5 月颁发，转让给 Fairchild Camera and Instrument Corp。
美国专利 3,199,002 带有交叉引线的固态电路， 1961 年 4 月提交，1965 年 8 月颁发，转让给 Fairchild Camera and Instrument Corp。
美国专利 3,325,787 Trainable system，1964 年 10 月提交，1967 年 6 月颁发，转让给 Fairchild Camera and Instrument Corp。