译者的话
对日新月异的 DRAM 存储技术来说，本书成书于 2000 年左右，讨论的是非常早先和相对简单的技术。但是，较早，相对简单的技术可以方便我们学习 DRAM 技术的基础，另外，了解过去的技术并将其与最新技术对比，可以让我们了解 DRAM 技术发展的脉络，或许会为新的技术发展带来启迪。以上是译者翻译这本二十年前的古老技术书的原因。
Preface //前言
从阿波罗登月计划中的存储（Memory）设备，到今天普通计算机中所使用的固态存储硬盘，在过去的 20 世纪中，存储扮演着一个重要但不显眼的角色。存储是那么不显眼是因为它们尽管在生活中不可或缺，但不是闪闪发亮，流光溢彩的角色，而一般只是被当作普通的商品。但是，存储是一项重要的科技，尤其是 CMOS DRAM 技术。DRAM 技术过去是，现在也是固态存储领域发展最重要的推动技术之一，尽管 DRAM 技术只是刚刚开始进入商用市场（指本书成书的 2000 年左右）。
存储市场的本质是，对更高容量和更低价格的追求，是技术发展最根本的驱动力。存储生产厂商为了生存，抛开长期发展过程中的其他变量不谈，必须竭尽全力地降低生产成本，来增长或者至少保持他们的市场份额。实现这一目标的一项方法是减小工艺的特征尺寸（Shrink technology）,尤其是能够通过升级工艺，减少器件尺寸（process scaling），在一片晶圆上光刻尽可能多的芯片。不幸的是，所有的生产厂商都在追求这一目标，因此，谁能首先做到这一点成为了一场货真价实的 ”军备竞赛“。因此，发展最新的技术都面临着巨大的压力，比其他相关技术领域都大，而这都是存储市场竞争的结果。
虽然存储行业发展前沿技术十分辛苦，如果你不是这场竞赛的参与者，你可以愉快享受存储技术发展给生活带来的好处。但是你应该是从业者（不然也不会读本书），所以你唯一能做的就是努力向前，而我们正是为你和其他的从业者们写下了本书。
本书 DRAM Circuit Design: A Tutorial 的撰写目标是衔接起 CMOS 电路教科书对存储简单的介绍，和当今业界期刊和会议文集关于 DRAM 设计的最新文章。本书向读者介绍了 DRAM 的理论、历史以及系统化的 DRAM 电路介绍。各个章节的细节程度取决于具体的内容。大多数情况下，本书只会介绍各功能模块，并通过几个电路来加以说明。在熟悉了各个电路的目的和基本的工作方式后，读者可以自行阅读相关论文获得更深的了解。作者在附录中记录了一个论文的列表，以供读者查找感兴趣的论文。
本书第一章是 DRAM 设备简单的历史演化介绍，从最早的 1Kbit 设备到今天更现代化的 64Mbit 同步设备。本章为读者介绍了基本的 DRAM 工作方式，为后文更详细的讨论建立基础。第二章是 DRAM 存储阵列更详细的研究，包括用于访问存储的基本阵列电路。在第三章，讨论转入存储架构设计的问题，给出了一个设计示例，将目前已有的设计与一项创新的，stacked digitaline 架构进行比较。第四章在探索用于支持存储阵列访问的外设电路设计，包括列译码器和冗余设计。第五章对读者来说应该是有趣的一章，因为它讨论了各种电路，包括数据通路模块，地址通路模块以及同步电路。第六章则用于讨论 DRAM 设计中常用的电压转换电路，包括稳压器，参考电压源，Vpp/2 生成电路以及电压泵（Voltage pump）。本书最后的附录，给读者提供了来自各个会议和期刊的论文列表作为参考。
Acknowledgements //声明
在此，我们感谢在过去三十多年完成诸多开创性工作的工程师，制造商和研究机构，你们的工作为本书奠定了基础。存储设计和其他需要努力付出的领域一样，新的知识总是构建于先前的知识之上。因此，我们还想对过去、现在和未来对这项工作有所贡献的人表示感谢。感谢美光科技对本书的高层次支持。特别地，我们想感谢美光科技对本书贡献良多的几位员工，包括花费了大量时间和精力构建和编辑本书手稿的 Mary Miller，以及 Jan Bissey 和其团队为本书提供的精彩和多种多样的 SEM （扫描电子显微镜）图片。
原文：知乎
作者：LogicJitterGibbs
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