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想成为 IC 工程师 / 业余 FPGA,历史学,计算机网络爱好者

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    Multiport RAM,多读多写寄存器

    背景手写Multiport RamMultiport RAM 代码方案资源评估Multiport RAM 资源利用的优化资源评估防止读写冲突的组合逻辑设计(写优先)仿真和时序单口写数据单端口读数据多口读相同数据多口同时读不同数据背景在多端口交换机的设计中,交换机的每个端口都会各自维护一张查找表,数据帧进入到交换机后,需要进行查表和转发。...

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    22nm 与 28nm 工艺的比较

    今天有朋友问我,22nm比28nm面积小多少。我说30%吧。他说,这么小?我说,30%都说多了。注:以下资料来自公开信息,仅做一个与28nm大致的比较。1-22FDX工艺分一下几个flavor。2-与28nm相比,功耗更低,性能更强。还能通过正负偏压来进行功耗和性能的这种,但是采用偏压的话也不是没有成本。要有额外的IP来提供偏压所需的...

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    最简timing signoff checklist

    如果你是在一个成熟的公司,那么在timing signoff的话,那么可能需要check很多东西。其实很多内容是与工艺以及设计相关的一些特殊的check list。换一种工艺或者设计,或者ip的话,内容也就不同了。那么我们略过这些设计以及工艺相关的东西。对于一个我们不熟悉的设计以及工艺,我们在进行timing signoff的时候,至少需要...

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    DDR 学习时间 (Part C - 6):DFI 协议功能-MC 停止 DRAM 时钟

    当 DRAM 处于自刷新状态时,系统可以保持提供给 DRAM 的 CK 时钟,或者关闭时钟供给。一般来说,停止 CK 时钟能够进一步降低 DRAM 和系统的功耗,毕竟 CK 时钟是一组高频的差分时钟对(DDR4-3200 为 1.6GHz )。

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    DDR 学习时间 (Part S - 1):运行 Micron DDR3 仿真模型

    本期以 Micron 的 DDR3 Model 为例,介绍模型如何下载和如何仿真,以及对模型中的各个文件进行解析。

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    DDR 学习时间: DDR 开源实现 高云 GW2A FPGA 的 DDR3 低延迟控制器

    本期写的是一个 Github 上的开源项目,基于 Tang Primer 20K 开发板和高云 GW2A FPGA 的 DDR3 控制器 IP。

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    DDR 学习时间 (Part I - OS1):DDR IP 开源实现 DDR5 PHY 数据通路

    本期写的是一个 Github 上的开源项目,实现的是 DDR5 PHY 的数据通路的数字部分,准确地说是 PHY 的写数据通路,看上去是一份埃及开罗 Ain Shams University (ASU) 学生的作业或者毕业设计,由企业进行了赞助(Si-Vision)。

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    IC 工程师视角:恒玄科技 2023 年报

    工程师读上市公司年报,移除宏观叙事与财务细节,关心一些我们打工人关心的内容。注:本文含有 AI 辅助创作(Kimi.ai)

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    DDR 学习时间 (Part C - 5):DFI 架构

    DFI 协议定义的是 Memory controller (以下简称 MC)和 PHY 之间的接口的信号、时序以及交互行为。

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    DDR 学习时间 (Part B - 6):DRAM ZQ 校正

    本期我们将基于 DDR4 讨论 DRAM 的 ZQ Calibration 的需求以及相应的 ZQCS/ZQCL 命令。

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    DDR 学习时间 (Part C - 4):DFI 协议功能 - 初始化

    本节基于 DFI 协议 4.1 节(协议 4.0 版本)讨论 MC 与 PHY 之间的 DFI 初始化行为。

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    JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作(4.30-4.31)

    DDR4 SDRAM支持一种连接性测试模式(CT),此方法可大大提高测试PCB上SoC的DDR控制器与DRAM之间连线的电气连接性测试。此模式可与边界扫描设备进行无缝连接,在x16设备上CT模式可在任何容量的设备上使用,而在x4与x8设备中仅能在容量大于或等于8Gb的设备上使用。

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    JESD79-4 第3章 功能描述

    NOTE 此简化的状态机仅提供可能的状态转换与命令控制的概观。尤其,打开多bank与使能ODT等其他的操作的细节是没有包含进来的。

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    "乾坤大挪移",FPGA工程师七层技术修炼之道

    作为FPGA初级工程师,首先应该要会写veriog代码,会写testbench。会用modelsim或者VCS仿真工具。能够写模块级别的代码,能够仿真,算是精通第一层。

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    JESD79-4 第2章 DDR4 SDRAM 的引脚封装与寻址

    此文档为DDR4 SDRAM的使用说明书,包含了DDR4 SDRAM的特性、功能、AC与DC特性、封装与出球分布。此标准的目的为定义从2Gbit到16Gbit的x4\x8\x16 DDR4 SDRAM的JEDEC最小标准。此标准是基于DDR3的标准(JESD97-3)以及DDR和DDR2的部分标准(JESD79\JESD79-2)。DDR4 SDRAM标准中的每一处改动,都是通过委员会考虑并投票通过的...

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    JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作(4.28-4.29)

    在DRAM执行DES命令时,若CKE为低电平,那么此时DRAM就会同步的进入断电(PD)模式。在MRS命令,PR操作,ZQCAL操作, DLL锁定中或读写操作过程中,CKE不允许降为低电平。在以上操作没有完成时,DRAM不会进入PD模式。下面几张图中详细描述了进入与退出PD模式的时序。

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    JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作(4.26-4.27)

    在DDR4 SDRAM中刷新命令是在不同的操作中使用的。此命令并不是一直持续的,因此控制器必须在需要刷新的时候向DRAM发送REF命令。DDR4 SDRAM的每次刷新间隔为tREFI。当时钟的上升沿,CS_n, RAS_n/A16以及 CAS_n/A15保持低电平,且WE_n/A14与ACT_n保持高电平时,DRAM就会进入刷新周期。在进入刷新之前,所有的Bank都必须先...

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    JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作(4.25)

    下面的例子仅为帮助理解写操作中各个参数的含义,每个参数的实际定义在后面文章中会有单独的描述。为了说明方便,在下图中,CK与DQS都是边沿对齐的,且DQ与DQS是中心对齐的。

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    [科技博客译文] 新思 EDA 工程师视角:生成式人工智能将在2024年引领巨大机遇

    它已经正式确认!在不到一年的时间里,生成式人工智能(GenAI)已经以创纪录的速度达到了 Gartner’s Peak of Inflated Expectations。然而,今年围绕ChatGPT的讨论和新应用已经表明,GenAI不仅已经到来,而且正准备真正改变知识工作的方式。它确实是那种难得一见的变革性技术之一。我们正在看到GenAI在各个领域的应用,...

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    Synopsys DDR 相关技术白皮书与 IP 技术公告合集

    本系列文章会搬运新思有关 DDR 相关技术白皮书与 IP 技术公告,这些文章有不错的主题和靠谱的内容,并且很多是翻译成中文的版本。

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2019年08月02日 加入
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