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棋子 · 2019年08月13日

2-Input NAND Cell
漏电功耗计算:主要使用标准库中的查找表和给定的pin的Static probability;
有效翻转率计算A1 -> ZN toggle rate:
ZN toggle rate * A1 toggle rate / ( A1 toggle rate + A2 toggle rate)
Internal Power A1:
= (1-SP(A2)) SP(ZN)TR(A1)* (上升沿功耗+ 下降沿功耗) / 2

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