LJgibbs · 2月7日 · 黑龙江

JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作(4.20-4.23)

4.20 可编程的先导区域

4.20.1 写先导区域

DDR4 SDRAM支持写先导区域的可编程,可通过MRS来选择1倍tCK或2倍tCK,如下图中所示。当写先导被打开,那么CWL参数也要做相应的增加。当在2倍tCK的写先导模式下进行写操作时,tWTR与tWR参数也需要比spec中要求的值增加一个tCK。

image.png

下面三幅图中的描述了1倍与2倍tCK的写先导模式下连续写操作的场景,此时tCCD 值为 4, 5 或6 nCK。在2倍tCK先导模式下,tCCD不可以设置为5。

image.png
image.png
image.png

4.20.2 读先导区域

DDR4 SDRAM支持1倍与2倍的读先导模式,如下图所示。

image.png

4.20.3 读先导训练

DDR4 SDRAM支持可编程的读先导,此功能需要单独的MRS命令来开启Read Leveling中的训练流程,以得到准确的读小道区域。下图所示的MRS命令是用来进行读先导区域训练的,且此功能仅能在MPR模式下进行。任何不合法的读命令,以及任何在读命令过程中或读初始化过程中的命令,都不允许在读先导区域训练过程中出现。

image.png

4.21 后导区域

4.21.1 读后导区域

DDR4 SDRAM仅支持固定的读后导区域。在1T或2T模式中,读后导的时间都固定为0.5个tCK。如下图所示。

image.png

4.21.2 写后导区域

DDR4 SDRAM仅支持固定的写后导区域。在1T或2T模式中,写后导的时间都固定为0.5个tCK。如下图所示。

image.png

4.22 Activate命令(ACT)

ACT命令是用来打开(或激活)在某一个指定Bank中的某一个Row的,此Row在后续的流程中可进行更细化的操作。x4、x8设备中的BG0-BG1与x16设备中的BG0用来选择Bank组;BA0-BA1输入用来选择Bank组内的具体Bank;A0-A17则是选择具体的Row。在Precharge命令或Precharge ALL命令到达之前,此Row都是保持打开状态(或激活)的。在同一个Bank中,若需要打开另一个Row需要先将已打开的Row关闭,即发送Precharge命令。

4.23 Precharge命令(PRE)

PRE命令是用来关闭某一个Bank中已打开Row或所有Bank中的一打开Row的。在PRE命令之后需要等待tRP时间,才可进行下一个Row的激活或打开,除非在并发的自动PRE情况下。在此情况下,访问不同Bank的读写命令可在不违反任何时序参数的前提下,进行数据不间断的访问。一旦一个Bank执行了PRE命令,那么此Bank就处于IDLE状态,在向此Bank内的任何Row发送读或者写命令之前都必须先激活相应的Row,即发送ACT命令。PRE可在Row处于IDLE状态或者是此Row正在进行Precharge过程时发送,但是整个Precharge的周期需要从最后一次PRE命令开始的时间计算。

原文:CSDN
作者:hierro_sic

相关文章推荐

更多FPGA干货请关注FPGA的逻辑技术专栏。欢迎添加极术小姐姐微信(id:aijishu20)加入技术交流群,请备注研究方向。
推荐阅读
关注数
10462
内容数
489
FPGA Logic 二三事
目录
极术微信服务号
关注极术微信号
实时接收点赞提醒和评论通知
安谋科技学堂公众号
关注安谋科技学堂
实时获取安谋科技及 Arm 教学资源
安谋科技招聘公众号
关注安谋科技招聘
实时获取安谋科技中国职位信息