JESD79-4 第4章 SDRAM命令描述与操作（4.24）

4.24 读操作

4.24.1 读时序定义

此章节中描述的读时序参数可在DLL锁定或未锁定的状态下使用。
读选通信号上升沿参数：

tDQSCK min/max描述了数据选通信号上升沿与CK_t, CK_c之间的关系。
tDQSCK是数据选通信号与CK_t, CK_c之间的世界延时关系。
tQSH描述了DQS_t, DQS_c差分输出的高电压时间
tDQSQ描述了DQ引脚上一次有效传输最后的时间
tQH描述了DQ引脚最早的一个无效数据的时间

读选通信号上升沿参数：

tQSL描述了DQS_t, DQS_c差分输出的低电压时间
tDQSQ描述了DQ引脚上一次有效传输最后的时间
tQH描述了DQ引脚最早的一个无效数据的时间

4.24.1.1 时钟与数据选通信号之间的关系

此章节中描述的读时序参数可在DLL锁定或未锁定的状态下使用。
读选通信号上升沿参数：

tDQSCK min/max描述了数据选通信号上升沿与CK_t, CK_c之间的关系。
tDQSCK是数据选通信号与CK_t, CK_c之间的世界延时关系。
tQSH描述了数据选通信号的高电平脉冲宽度

读选通信号下降沿参数：

tQSL描述了数据选通信号的低电平脉冲宽度
tLZ(DQS), tHZ(DQS) 用来描述前导区域与后导区域

4.24.1.2 数据选通信号与数据信号的关系

下图中所示的数据选通信号与数据信号的关系适用于DLL 锁定或未锁定的情况。
数据选通信号的上升沿参数：

tDQSQ describes the latest valid transition of the associated DQ pins.
tQH describes the earliest invalid transition of the associated DQ pins.

数据选通信号下降沿参数：

tDQSQ describes the latest valid transition of the associated DQ pins.
tQH describes the earliest invalid transition of the associated DQ pins.

4.24.1.3 tLZ(DQS), tLZ(DQ), tHZ(DQS), tHZ(DQ)计算

在有效数据传输时，tHZ与tLZ的时间窗口时同时的。当设备输出不再驱动tHZ(DQS)与tHZ(DQ)，或设备输出开始驱动tLZ(DQS), tLZ(DQ)时，此参数参考的是标准中指定的电压水平，如下图所示，此参数的计算点通过测量两个不同的电压值得到。实际的电压测量点或许没有计算得到的结果那么准确。参数tLZ(DQS), tLZ(DQ), tHZ(DQS), tHZ(DQ)都是单端计算得到。

4.24.1.4 tRPRE计算

下图中描述了tRPRE差分脉冲宽度的计算。

4.24.1.5 tRPST计算

下图中计算了tRPST差分脉冲宽度的计算。

4.24.2 读突发操作

DDR4 SDRAM支持BC4、BL8或者OTF（OTF基于A12的值，可选择突发类型是BC4或BL8），同时自动预充电功能可选择打开或者是关闭。

4.24.3 读突发操作后的PRE命令

对于同一Bank之内的外部读命令与PRE命令之间的最小时间间隔为AL + tRTP，tRTP为内部读命令到PRE命令之间的延时。注意最小的ACT到PRE之间的延时为tRAS，也必须被满足。内部读命令到PRE命令之间最小的时间间隔为tRTP.min，若如下两种情况满足，可向DRAM的同一个Bank发送一个新的ACT命令。